晶體管的置換原則
發(fā)布時(shí)間:2008/8/21 0:00:00 訪問次數(shù):798
一、類型相同
1.材料相同。即鍺管換鍺管,硅管換硅管。
2.極性相同。即npn型管換npn型管,pnp型管換pnp型管。
3.實(shí)際型號(hào)一樣,標(biāo)注方法不同,如:d1555同2sd1555;r1201同gr1201;3dg9014同9014;貼片管用代號(hào)來代表原型號(hào)等。但不排除同一型號(hào)因?yàn)樯a(chǎn)廠家的不同,參數(shù)差別極大的情況。
二、特性相近
用于置換(代換)的晶體管應(yīng)與原晶體管的特性要相近,它們的主要參數(shù)值及特性曲線應(yīng)相差不多或優(yōu)于原管,對于不同的電路,應(yīng)有所偏重。一般來說,只要下述主要參數(shù)相近,即可滿足置換(代換)要求。
1.集電極最大直流耗散功率(pcm)
一般要求用pcm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換(代換)。如果原晶體管在整機(jī)電路中實(shí)際直流耗散功率遠(yuǎn)小于其pcm,也可以用pcm較小的晶體管置換(代換)。
2.集電極最大允許直流電流(icm)
一般要求用icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換(代換)。
實(shí)際不同廠家關(guān)于icm的規(guī)定有所不同,有時(shí)差別很大,我們要注意到廠家給出的測試條件。常見的有以下幾種:
⑴根據(jù)集電極引線允許通過的最大電流值確定icm。這個(gè)數(shù)值可能很大,例如,一只pcn=200mw的晶體管,其icm可能會(huì)超過1a。
、聘鶕(jù)pcm確定icm,即pcm=icm×uce確定icm。這個(gè)規(guī)定下的pcm值比普通晶體管較小,比開關(guān)管較大,例如pcm都是10w的普通晶體管2sc2209和開關(guān)管2sc2214,其icm值卻分別為1.5a和4a。
、歉鶕(jù)晶體管參數(shù)(飽和壓降、電流放大系數(shù)等)允許變化的極限值確定icm。例如3dd103a晶體管的icm是按其β值下降到實(shí)測值的1/3時(shí)確定的(icm=3a)。
3.擊穿電壓
用于置換(代換)的晶體管,必須能夠在整機(jī)中安全地承受最高工作電壓。晶體管的擊穿電壓參數(shù)主要有以下5個(gè):
、舃vcbo:集電極-基極擊穿電壓。它是指發(fā)射極開路,集電極電流ic為規(guī)定值時(shí),集電極-基極間的電壓降(該電壓降稱為對應(yīng)的擊穿電壓,以下的相同)。
、芺vceo:集電極-發(fā)射極擊穿電壓。它是指基極開路,集電極電流ic為規(guī)定值時(shí),集電極-發(fā)射極的電壓降。
、莃vces:基極-發(fā)射極短路,集電極-發(fā)射極的擊穿電壓。
、萣vcer:基極-發(fā)射極串聯(lián)電阻,集電極-發(fā)射極的電壓降。
⑸bvebo:集電極開路,發(fā)射極-基極的擊穿電壓。
在晶體管置換(代換)中,主要考慮bvcbo和bvceo,對于開關(guān)晶體管還應(yīng)考慮bvebo。一般來說,同一晶體管的bvcbo>bvceo。通常要求用于置換(代換)的晶體管,其上述三個(gè)擊穿電壓應(yīng)不小于原晶體管對應(yīng)的三個(gè)擊穿電壓。
4.頻率特性
晶體管頻率特性參數(shù),常用的有以下4個(gè):
⑴特征頻率ft:它是指在測試頻率足夠高時(shí),使晶體管共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=1時(shí)的頻率。
、痞陆刂诡l率fβ:在共發(fā)射極電路中,輸出端交流短路時(shí),電流放大系數(shù)β值,下降到低頻(1khz)β值70.7%(3db)時(shí)的頻率。
、铅两刂诡l率fα:在共基極電路中,輸出端交流短路時(shí),電流放大系數(shù)α值下降到低頻(1khz)β值70.7%(3db)時(shí)的頻率。
、茸罡哒袷庮l率fmax:當(dāng)晶體管的功率增益為1時(shí)的工作頻率。
在置換(代換)晶體管時(shí),主要考慮ft與fβ。通常要求用于置換的晶體管,其ft與fβ應(yīng)不小于原晶體管對應(yīng)的ft與fβ。半導(dǎo)體管有高頻管和低頻管之分,晶體管ft低于3m為低頻管,場效應(yīng)管低于303mh,反之,為高頻管。
5.其他參數(shù)
除以上主要參數(shù)外,對于一些特殊的晶體管,在置換(代換)時(shí)還應(yīng)考慮以下參數(shù):
、艑τ诘驮肼暰w管,在置換(代換)時(shí)應(yīng)當(dāng)用噪聲系數(shù)較小或相等的晶體管。
、茖τ诰哂凶詣(dòng)增益控制性能的晶體管,在置換(代換)時(shí)應(yīng)當(dāng)用自動(dòng)增益控制特性相同的晶體管。
、菍τ陂_關(guān)管,在置換(代換)時(shí)還要考慮其開關(guān)參數(shù),是否是帶有內(nèi)置電阻。
三、外形相似
小功率晶體管一般外形均相似,只要各個(gè)電極引出腳標(biāo)志明確,且引出線排列順序與待換管一致,即可進(jìn)行更換。
大功率晶體管的外形差異較大,置換(代換)時(shí)應(yīng)選擇外形相似、安裝尺寸相同的晶體管,以便安裝和保持正常的散熱條件。如實(shí)在沒有,也可以用塑封管代替鐵封管。
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一、類型相同
1.材料相同。即鍺管換鍺管,硅管換硅管。
2.極性相同。即npn型管換npn型管,pnp型管換pnp型管。
3.實(shí)際型號(hào)一樣,標(biāo)注方法不同,如:d1555同2sd1555;r1201同gr1201;3dg9014同9014;貼片管用代號(hào)來代表原型號(hào)等。但不排除同一型號(hào)因?yàn)樯a(chǎn)廠家的不同,參數(shù)差別極大的情況。
二、特性相近
用于置換(代換)的晶體管應(yīng)與原晶體管的特性要相近,它們的主要參數(shù)值及特性曲線應(yīng)相差不多或優(yōu)于原管,對于不同的電路,應(yīng)有所偏重。一般來說,只要下述主要參數(shù)相近,即可滿足置換(代換)要求。
1.集電極最大直流耗散功率(pcm)
一般要求用pcm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換(代換)。如果原晶體管在整機(jī)電路中實(shí)際直流耗散功率遠(yuǎn)小于其pcm,也可以用pcm較小的晶體管置換(代換)。
2.集電極最大允許直流電流(icm)
一般要求用icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換(代換)。
實(shí)際不同廠家關(guān)于icm的規(guī)定有所不同,有時(shí)差別很大,我們要注意到廠家給出的測試條件。常見的有以下幾種:
、鸥鶕(jù)集電極引線允許通過的最大電流值確定icm。這個(gè)數(shù)值可能很大,例如,一只pcn=200mw的晶體管,其icm可能會(huì)超過1a。
、聘鶕(jù)pcm確定icm,即pcm=icm×uce確定icm。這個(gè)規(guī)定下的pcm值比普通晶體管較小,比開關(guān)管較大,例如pcm都是10w的普通晶體管2sc2209和開關(guān)管2sc2214,其icm值卻分別為1.5a和4a。
⑶根據(jù)晶體管參數(shù)(飽和壓降、電流放大系數(shù)等)允許變化的極限值確定icm。例如3dd103a晶體管的icm是按其β值下降到實(shí)測值的1/3時(shí)確定的(icm=3a)。
3.擊穿電壓
用于置換(代換)的晶體管,必須能夠在整機(jī)中安全地承受最高工作電壓。晶體管的擊穿電壓參數(shù)主要有以下5個(gè):
⑴bvcbo:集電極-基極擊穿電壓。它是指發(fā)射極開路,集電極電流ic為規(guī)定值時(shí),集電極-基極間的電壓降(該電壓降稱為對應(yīng)的擊穿電壓,以下的相同)。
、芺vceo:集電極-發(fā)射極擊穿電壓。它是指基極開路,集電極電流ic為規(guī)定值時(shí),集電極-發(fā)射極的電壓降。
⑶bvces:基極-發(fā)射極短路,集電極-發(fā)射極的擊穿電壓。
、萣vcer:基極-發(fā)射極串聯(lián)電阻,集電極-發(fā)射極的電壓降。
、蒪vebo:集電極開路,發(fā)射極-基極的擊穿電壓。
在晶體管置換(代換)中,主要考慮bvcbo和bvceo,對于開關(guān)晶體管還應(yīng)考慮bvebo。一般來說,同一晶體管的bvcbo>bvceo。通常要求用于置換(代換)的晶體管,其上述三個(gè)擊穿電壓應(yīng)不小于原晶體管對應(yīng)的三個(gè)擊穿電壓。
4.頻率特性
晶體管頻率特性參數(shù),常用的有以下4個(gè):
⑴特征頻率ft:它是指在測試頻率足夠高時(shí),使晶體管共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=1時(shí)的頻率。
⑵β截止頻率fβ:在共發(fā)射極電路中,輸出端交流短路時(shí),電流放大系數(shù)β值,下降到低頻(1khz)β值70.7%(3db)時(shí)的頻率。
、铅两刂诡l率fα:在共基極電路中,輸出端交流短路時(shí),電流放大系數(shù)α值下降到低頻(1khz)β值70.7%(3db)時(shí)的頻率。
、茸罡哒袷庮l率fmax:當(dāng)晶體管的功率增益為1時(shí)的工作頻率。
在置換(代換)晶體管時(shí),主要考慮ft與fβ。通常要求用于置換的晶體管,其ft與fβ應(yīng)不小于原晶體管對應(yīng)的ft與fβ。半導(dǎo)體管有高頻管和低頻管之分,晶體管ft低于3m為低頻管,場效應(yīng)管低于303mh,反之,為高頻管。
5.其他參數(shù)
除以上主要參數(shù)外,對于一些特殊的晶體管,在置換(代換)時(shí)還應(yīng)考慮以下參數(shù):
、艑τ诘驮肼暰w管,在置換(代換)時(shí)應(yīng)當(dāng)用噪聲系數(shù)較小或相等的晶體管。
、茖τ诰哂凶詣(dòng)增益控制性能的晶體管,在置換(代換)時(shí)應(yīng)當(dāng)用自動(dòng)增益控制特性相同的晶體管。
⑶對于開關(guān)管,在置換(代換)時(shí)還要考慮其開關(guān)參數(shù),是否是帶有內(nèi)置電阻。
三、外形相似
小功率晶體管一般外形均相似,只要各個(gè)電極引出腳標(biāo)志明確,且引出線排列順序與待換管一致,即可進(jìn)行更換。
大功率晶體管的外形差異較大,置換(代換)時(shí)應(yīng)選擇外形相似、安裝尺寸相同的晶體管,以便安裝和保持正常的散熱條件。如實(shí)在沒有,也可以用塑封管代替鐵封管。
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