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晶體管的置換原則

發(fā)布時(shí)間:2008/8/21 0:00:00 訪問次數(shù):798

  在維修、設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)或試制中,常常會(huì)碰到晶體管的置換(代換)問題。如果掌握了晶體管的置換(代換)原則,就能使工作初有成效。其置換(代換)原則可劃分為三種:即類型相同、特性相近、外形相似。

一、類型相同

  1.材料相同。即鍺管換鍺管,硅管換硅管。

  2.極性相同。即npn型管換npn型管,pnp型管換pnp型管。

  3.實(shí)際型號(hào)一樣,標(biāo)注方法不同,如:d1555同2sd1555;r1201同gr1201;3dg9014同9014;貼片管用代號(hào)來代表原型號(hào)等。但不排除同一型號(hào)因?yàn)樯a(chǎn)廠家的不同,參數(shù)差別極大的情況。

二、特性相近

  用于置換(代換)的晶體管應(yīng)與原晶體管的特性要相近,它們的主要參數(shù)值及特性曲線應(yīng)相差不多或優(yōu)于原管,對于不同的電路,應(yīng)有所偏重。一般來說,只要下述主要參數(shù)相近,即可滿足置換(代換)要求。

1.集電極最大直流耗散功率(pcm)

  一般要求用pcm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換(代換)。如果原晶體管在整機(jī)電路中實(shí)際直流耗散功率遠(yuǎn)小于其pcm,也可以用pcm較小的晶體管置換(代換)。

2.集電極最大允許直流電流(icm)

  一般要求用icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換(代換)。

  實(shí)際不同廠家關(guān)于icm的規(guī)定有所不同,有時(shí)差別很大,我們要注意到廠家給出的測試條件。常見的有以下幾種:

  ⑴根據(jù)集電極引線允許通過的最大電流值確定icm。這個(gè)數(shù)值可能很大,例如,一只pcn=200mw的晶體管,其icm可能會(huì)超過1a。

 、聘鶕(jù)pcm確定icm,即pcm=icm×uce確定icm。這個(gè)規(guī)定下的pcm值比普通晶體管較小,比開關(guān)管較大,例如pcm都是10w的普通晶體管2sc2209和開關(guān)管2sc2214,其icm值卻分別為1.5a和4a。

 、歉鶕(jù)晶體管參數(shù)(飽和壓降、電流放大系數(shù)等)允許變化的極限值確定icm。例如3dd103a晶體管的icm是按其β值下降到實(shí)測值的1/3時(shí)確定的(icm=3a)。

3.擊穿電壓

  用于置換(代換)的晶體管,必須能夠在整機(jī)中安全地承受最高工作電壓。晶體管的擊穿電壓參數(shù)主要有以下5個(gè):

 、舃vcbo:集電極-基極擊穿電壓。它是指發(fā)射極開路,集電極電流ic為規(guī)定值時(shí),集電極-基極間的電壓降(該電壓降稱為對應(yīng)的擊穿電壓,以下的相同)。

 、芺vceo:集電極-發(fā)射極擊穿電壓。它是指基極開路,集電極電流ic為規(guī)定值時(shí),集電極-發(fā)射極的電壓降。

 、莃vces:基極-發(fā)射極短路,集電極-發(fā)射極的擊穿電壓。

 、萣vcer:基極-發(fā)射極串聯(lián)電阻,集電極-發(fā)射極的電壓降。

  ⑸bvebo:集電極開路,發(fā)射極-基極的擊穿電壓。

  在晶體管置換(代換)中,主要考慮bvcbo和bvceo,對于開關(guān)晶體管還應(yīng)考慮bvebo。一般來說,同一晶體管的bvcbo>bvceo。通常要求用于置換(代換)的晶體管,其上述三個(gè)擊穿電壓應(yīng)不小于原晶體管對應(yīng)的三個(gè)擊穿電壓。

4.頻率特性

晶體管頻率特性參數(shù),常用的有以下4個(gè):

  ⑴特征頻率ft:它是指在測試頻率足夠高時(shí),使晶體管共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=1時(shí)的頻率。

 、痞陆刂诡l率fβ:在共發(fā)射極電路中,輸出端交流短路時(shí),電流放大系數(shù)β值,下降到低頻(1khz)β值70.7%(3db)時(shí)的頻率。

 、铅两刂诡l率fα:在共基極電路中,輸出端交流短路時(shí),電流放大系數(shù)α值下降到低頻(1khz)β值70.7%(3db)時(shí)的頻率。

 、茸罡哒袷庮l率fmax:當(dāng)晶體管的功率增益為1時(shí)的工作頻率。

  在置換(代換)晶體管時(shí),主要考慮ft與fβ。通常要求用于置換的晶體管,其ft與fβ應(yīng)不小于原晶體管對應(yīng)的ft與fβ。半導(dǎo)體管有高頻管和低頻管之分,晶體管ft低于3m為低頻管,場效應(yīng)管低于303mh,反之,為高頻管。

5.其他參數(shù)

  除以上主要參數(shù)外,對于一些特殊的晶體管,在置換(代換)時(shí)還應(yīng)考慮以下參數(shù):

 、艑τ诘驮肼暰w管,在置換(代換)時(shí)應(yīng)當(dāng)用噪聲系數(shù)較小或相等的晶體管。

 、茖τ诰哂凶詣(dòng)增益控制性能的晶體管,在置換(代換)時(shí)應(yīng)當(dāng)用自動(dòng)增益控制特性相同的晶體管。

 、菍τ陂_關(guān)管,在置換(代換)時(shí)還要考慮其開關(guān)參數(shù),是否是帶有內(nèi)置電阻。

三、外形相似

  小功率晶體管一般外形均相似,只要各個(gè)電極引出腳標(biāo)志明確,且引出線排列順序與待換管一致,即可進(jìn)行更換。

  大功率晶體管的外形差異較大,置換(代換)時(shí)應(yīng)選擇外形相似、安裝尺寸相同的晶體管,以便安裝和保持正常的散熱條件。如實(shí)在沒有,也可以用塑封管代替鐵封管。

  歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場網(wǎng)

  在維修、設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)或試制中,常常會(huì)碰到晶體管的置換(代換)問題。如果掌握了晶體管的置換(代換)原則,就能使工作初有成效。其置換(代換)原則可劃分為三種:即類型相同、特性相近、外形相似。

一、類型相同

  1.材料相同。即鍺管換鍺管,硅管換硅管。

  2.極性相同。即npn型管換npn型管,pnp型管換pnp型管。

  3.實(shí)際型號(hào)一樣,標(biāo)注方法不同,如:d1555同2sd1555;r1201同gr1201;3dg9014同9014;貼片管用代號(hào)來代表原型號(hào)等。但不排除同一型號(hào)因?yàn)樯a(chǎn)廠家的不同,參數(shù)差別極大的情況。

二、特性相近

  用于置換(代換)的晶體管應(yīng)與原晶體管的特性要相近,它們的主要參數(shù)值及特性曲線應(yīng)相差不多或優(yōu)于原管,對于不同的電路,應(yīng)有所偏重。一般來說,只要下述主要參數(shù)相近,即可滿足置換(代換)要求。

1.集電極最大直流耗散功率(pcm)

  一般要求用pcm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換(代換)。如果原晶體管在整機(jī)電路中實(shí)際直流耗散功率遠(yuǎn)小于其pcm,也可以用pcm較小的晶體管置換(代換)。

2.集電極最大允許直流電流(icm)

  一般要求用icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換(代換)。

  實(shí)際不同廠家關(guān)于icm的規(guī)定有所不同,有時(shí)差別很大,我們要注意到廠家給出的測試條件。常見的有以下幾種:

 、鸥鶕(jù)集電極引線允許通過的最大電流值確定icm。這個(gè)數(shù)值可能很大,例如,一只pcn=200mw的晶體管,其icm可能會(huì)超過1a。

 、聘鶕(jù)pcm確定icm,即pcm=icm×uce確定icm。這個(gè)規(guī)定下的pcm值比普通晶體管較小,比開關(guān)管較大,例如pcm都是10w的普通晶體管2sc2209和開關(guān)管2sc2214,其icm值卻分別為1.5a和4a。

  ⑶根據(jù)晶體管參數(shù)(飽和壓降、電流放大系數(shù)等)允許變化的極限值確定icm。例如3dd103a晶體管的icm是按其β值下降到實(shí)測值的1/3時(shí)確定的(icm=3a)。

3.擊穿電壓

  用于置換(代換)的晶體管,必須能夠在整機(jī)中安全地承受最高工作電壓。晶體管的擊穿電壓參數(shù)主要有以下5個(gè):

  ⑴bvcbo:集電極-基極擊穿電壓。它是指發(fā)射極開路,集電極電流ic為規(guī)定值時(shí),集電極-基極間的電壓降(該電壓降稱為對應(yīng)的擊穿電壓,以下的相同)。

 、芺vceo:集電極-發(fā)射極擊穿電壓。它是指基極開路,集電極電流ic為規(guī)定值時(shí),集電極-發(fā)射極的電壓降。

  ⑶bvces:基極-發(fā)射極短路,集電極-發(fā)射極的擊穿電壓。

 、萣vcer:基極-發(fā)射極串聯(lián)電阻,集電極-發(fā)射極的電壓降。

 、蒪vebo:集電極開路,發(fā)射極-基極的擊穿電壓。

  在晶體管置換(代換)中,主要考慮bvcbo和bvceo,對于開關(guān)晶體管還應(yīng)考慮bvebo。一般來說,同一晶體管的bvcbo>bvceo。通常要求用于置換(代換)的晶體管,其上述三個(gè)擊穿電壓應(yīng)不小于原晶體管對應(yīng)的三個(gè)擊穿電壓。

4.頻率特性

晶體管頻率特性參數(shù),常用的有以下4個(gè):

  ⑴特征頻率ft:它是指在測試頻率足夠高時(shí),使晶體管共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=1時(shí)的頻率。

  ⑵β截止頻率fβ:在共發(fā)射極電路中,輸出端交流短路時(shí),電流放大系數(shù)β值,下降到低頻(1khz)β值70.7%(3db)時(shí)的頻率。

 、铅两刂诡l率fα:在共基極電路中,輸出端交流短路時(shí),電流放大系數(shù)α值下降到低頻(1khz)β值70.7%(3db)時(shí)的頻率。

 、茸罡哒袷庮l率fmax:當(dāng)晶體管的功率增益為1時(shí)的工作頻率。

  在置換(代換)晶體管時(shí),主要考慮ft與fβ。通常要求用于置換的晶體管,其ft與fβ應(yīng)不小于原晶體管對應(yīng)的ft與fβ。半導(dǎo)體管有高頻管和低頻管之分,晶體管ft低于3m為低頻管,場效應(yīng)管低于303mh,反之,為高頻管。

5.其他參數(shù)

  除以上主要參數(shù)外,對于一些特殊的晶體管,在置換(代換)時(shí)還應(yīng)考慮以下參數(shù):

 、艑τ诘驮肼暰w管,在置換(代換)時(shí)應(yīng)當(dāng)用噪聲系數(shù)較小或相等的晶體管。

 、茖τ诰哂凶詣(dòng)增益控制性能的晶體管,在置換(代換)時(shí)應(yīng)當(dāng)用自動(dòng)增益控制特性相同的晶體管。

  ⑶對于開關(guān)管,在置換(代換)時(shí)還要考慮其開關(guān)參數(shù),是否是帶有內(nèi)置電阻。

三、外形相似

  小功率晶體管一般外形均相似,只要各個(gè)電極引出腳標(biāo)志明確,且引出線排列順序與待換管一致,即可進(jìn)行更換。

  大功率晶體管的外形差異較大,置換(代換)時(shí)應(yīng)選擇外形相似、安裝尺寸相同的晶體管,以便安裝和保持正常的散熱條件。如實(shí)在沒有,也可以用塑封管代替鐵封管。

  歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場網(wǎng)

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