隨著技術(shù)的發(fā)展，led的效率有了非常大的進(jìn)步。在不久的未來led會代替現(xiàn)有的照明燈泡。近幾年人們制造led晶粒/芯片過程中首先在襯底上制作氮化鎵（gan）基的晶圓(外延片)，晶圓所需的材料源(碳化硅sic)和各種高純的氣體如氫氣h2或氬氣ar等惰性氣體作為載體之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圓做好。接下來是對led-pn結(jié)的兩個電極進(jìn)行加工，并對led毛片進(jìn)行減薄，劃片。然后對毛片進(jìn)行測試和分選，就可以得到所需的led晶粒。具體的工藝做法，不作詳細(xì)的說明。

　　下面簡單介紹一下led芯片生產(chǎn)流程圖：

　　總的來說，led制作流程分為兩大部分：

　　首先在襯低上制作氮化鎵（gan）基的晶圓，這個過程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積晶圓爐(mocvd)中完成的。準(zhǔn)備好制作gan基晶圓所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有g(shù)aas、aln、zno等材料。

　　mocvd是利用氣相反應(yīng)物（前驅(qū)物）及ⅲ族的有機(jī)金屬和ⅴ族的nh3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等質(zhì)量。mocvd外延爐是制作led外延片最常用的設(shè)備。

　　然后是對led pn結(jié)的兩個電極進(jìn)行加工，電極加工也是制作led芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨；然后對led毛片進(jìn)行劃片、測試和分選，就可以得到所需的led芯片。如果芯片清洗不夠干凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會導(dǎo)致蒸鍍出來的金屬層（指蝕刻后的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。

　　蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定芯片，因此會產(chǎn)生夾痕（在目檢必須挑除）。黃光作業(yè)內(nèi)容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會有發(fā)光區(qū)殘多出金屬。

　　晶粒在前段制程中，各項(xiàng)制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有晶粒電極刮傷情形發(fā)生。

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