基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（n型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來(lái)阻擋反向電壓。肖特基與pn結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40v左右。其特長(zhǎng)是：開關(guān)速度非�？欤悍聪蚧謴�(fù)時(shí)間特別地短。因此，能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。

　　肖特基二極管(schottky barrier diode)

　　它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的pn結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為rc時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100ghz。并且，mis（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。

　　肖特基二極管(schottky diodes)： 肖特基二極管利用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢(shì)壘對(duì)電流進(jìn)行控制。它的主要特點(diǎn)是具有較低的正向壓降（0.3v至0.6v）；另外它是多子參與導(dǎo)電，這就比少子器件有更快的反應(yīng)速度。肖特基二極管常用在門電路中作為三極管集電極的箝位二極管，以防止三極管因進(jìn)入飽和狀態(tài)而降低開關(guān)速度。

　　肖特基勢(shì)壘二極管sbd（schottky barrier diode，簡(jiǎn)稱肖特基二極管）是近年來(lái)間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4v左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安培。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無(wú)法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。

　　1．結(jié)構(gòu)原理

　　綜上所述，肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與pn結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將pn結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管，近年來(lái)，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問(wèn)世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。

　　肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢(shì)壘外側(cè)無(wú)過(guò)剩少數(shù)載流子的積累，因此，不存在電荷儲(chǔ)存問(wèn)題（qrr→0），使開關(guān)特性獲得時(shí)顯改善。其反向恢復(fù)時(shí)間已能縮短到10ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過(guò)去時(shí)100v。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率 。

　　肖特基勢(shì)壘二極管sbd（schottky barrier diode，簡(jiǎn)稱肖特基二極管）是近年來(lái)間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4v左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安培。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無(wú)法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。

　　1．結(jié)構(gòu)原理

　　肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）a為正極，以n型半導(dǎo)體b為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的多屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)閚型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的b中向濃度低的a中擴(kuò)散。顯然，金屬a中沒有空穴，也就不存在空穴自a向b的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從b擴(kuò)散到a，b表面電子濃度表面逐漸降輕工業(yè)部，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)閎→a。但在該電場(chǎng)作用之下，a中的電子也會(huì)產(chǎn)生從a→b的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。

　　典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)如圖1所示。它是以n型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的n-外延層。陽(yáng)極（阻檔層）金屬材料是鉬。二氧化硅（sio2）用來(lái)消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)，提高管子的耐壓值。n型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較h-層要高100%倍。在基片下邊形成n+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過(guò)調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，可在基片與陽(yáng)極金屬之間形成合適的肖特基勢(shì)壘，當(dāng)加上正偏壓e時(shí)，金屬a和n型基片b分別接電源的正、負(fù)極，此時(shí)勢(shì)壘寬度wo變窄。加負(fù)偏壓-e時(shí)，勢(shì)壘寬度就增加，見圖2。

　　綜上所述，肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與pn結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將pn結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管，近年來(lái)，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問(wèn)世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。

　　肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢(shì)壘外側(cè)無(wú)過(guò)剩少數(shù)載流子的積累，因此，不存在電荷儲(chǔ)存問(wèn)題（qrr→0），使開關(guān)特性獲得時(shí)顯改善。其反向恢復(fù)時(shí)間已能縮短到10ns以內(nèi)。但