意法半導(dǎo)體進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率mosfet晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率mosfet被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。supermesh3的創(chuàng)新技術(shù)，結(jié)合更低的導(dǎo)通電阻，確保晶體管具有更高的能效。此外，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。

　　620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，隨后還將推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點，在620v電壓下，dpak封裝的std6n62k3把導(dǎo)通電阻rds（on）降低到 1.28ω；在525v電壓下，std7n52k3把導(dǎo)通電阻rds（on）降低到0.98ω，從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。新技術(shù)還降低反向恢復(fù)時間（trr）、柵電荷量和本征電容，提高開關(guān)性能和工作頻率。

　　優(yōu)化的垂直結(jié)構(gòu)和帶狀拓?fù)涞娜诤希瑸橐夥ò雽?dǎo)體的supermesh3技術(shù)增添了一個新的優(yōu)點：即同類產(chǎn)品中最出色的dv/dt特性。這個特性可以讓照明系統(tǒng)和消費(fèi)電子設(shè)備具有更高的可靠性和安全性。為實現(xiàn)全方位的強(qiáng)健性，supermesh3器件全部經(jīng)過了100%的雪崩測試，并集成了齊納二極管保護(hù)功能。

　　在可比的快速恢復(fù)高壓晶體管技術(shù)中，supermesh3的單位面積導(dǎo)通電阻最小，受益于這項技術(shù)， stx6n62k3、stx7n52k3、stx3n62k3和stx6n52k3可以使用比同級別產(chǎn)品尺寸更小的封裝，如dpak。這可以節(jié)省晶體管的占位面積和電路板空間，同時，在開關(guān)和散熱性能方面，還能與尺寸更大的產(chǎn)品媲美。

　　stx6n62k3采用ipak、dpak、to-220和to-220fp封裝。

　　2.5ω的stx3n62k3將采用ipak、dpak、d2pak、to-220和to-220fp封裝。0.98ω的stx7n52k3將采用dpak、d2pak、to-220和to-220fp封裝，1.2ω的stx6n52k3將采用dpak和to-220fp封裝。這些產(chǎn)品將豐富supermesh3 620v和525v系列產(chǎn)品組合。

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