74HC595三態(tài)8位移位寄存器
發(fā)布時(shí)間:2011/7/6 9:57:27 訪問次數(shù):1061
74HC595三態(tài)8位移位寄存器/輸出存儲(chǔ)寄存器電路的基本特性:
1) 輸出驅(qū)動(dòng)能力:15LSTTL負(fù)載;
2) 輸出直接接口至CMOS、NMOS和TTL;
3) 工作電壓范圍:2.0—6.0V;
4) 低輸入電流為1.OμA;
5) 高噪聲抗擾CMOS驅(qū)動(dòng)特性;
6) ESD性能:HBM大于2000V,機(jī)器模式大于200V;
7)芯片復(fù)雜性:328個(gè)FET或82個(gè)等效門;
8)無(wú)鉛封裝;
9)超過(guò)HC595改進(jìn);
10)改進(jìn)傳播延遲;
11)低靜態(tài)電源;
12)改進(jìn)的輸入噪聲和閉鎖超載抗擾。
74HC595三態(tài)8位移位寄存器/輸出存儲(chǔ)寄存器電路的基本特性:
1) 輸出驅(qū)動(dòng)能力:15LSTTL負(fù)載;
2) 輸出直接接口至CMOS、NMOS和TTL;
3) 工作電壓范圍:2.0—6.0V;
4) 低輸入電流為1.OμA;
5) 高噪聲抗擾CMOS驅(qū)動(dòng)特性;
6) ESD性能:HBM大于2000V,機(jī)器模式大于200V;
7)芯片復(fù)雜性:328個(gè)FET或82個(gè)等效門;
8)無(wú)鉛封裝;
9)超過(guò)HC595改進(jìn);
10)改進(jìn)傳播延遲;
11)低靜態(tài)電源;
12)改進(jìn)的輸入噪聲和閉鎖超載抗擾。
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