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霍爾效應(yīng)

發(fā)布時間:2011/8/11 11:13:04 訪問次數(shù):4163

    如圖6-66所示,一塊長為L、寬為b、厚度為d的金屬或半導(dǎo)體薄片,放置于磁感應(yīng)強度B的磁場(磁場方向垂直于薄片)中。當(dāng)有電流I流過時,在垂直于電流和磁場的方向上將產(chǎn)生電動勢UH(霍爾電動勢),這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。

                    


    假設(shè)薄片為N形半導(dǎo)體,在其左右兩端通以電流I(稱為控制電流),那么半導(dǎo)體中的載流子(電子)將沿著與電流,相反的方向運動。由于外礅場B的作用,使電子受到磁力FL(洛侖茲力)而發(fā)生偏轉(zhuǎn),結(jié)果在半導(dǎo)體的后端面上電子有所積累,前端面缺少電子,因此后端面帶負(fù)電,前端面帶正電,在前、后端面間形成電場。該電場產(chǎn)生的電場力FE阻止電子繼續(xù)偏轉(zhuǎn)。當(dāng)電場作用在運動電子上的電場力FE與洛侖茲力FL相等時,電子的積累便達(dá)到動態(tài)平衡。這時,在半導(dǎo)體前、后兩端面之間(即垂直于電流和磁場方向)建立電場,稱為霍爾電場EH,相應(yīng)的電勢就稱為霍爾電勢UH。
                                  UH=RH×IB/d           ( 6-34)
式中,RH稱為霍爾系數(shù)。

    由RH=1/ne可知,霍爾系數(shù)由半導(dǎo)體材料決定,它反映了材料的霍爾效應(yīng)的強弱。單位體積內(nèi)導(dǎo)電粒子數(shù)越少,霍爾效應(yīng)越強,因此半導(dǎo)體比金屬導(dǎo)體霍爾效應(yīng)強。在實際應(yīng)用中,一般都采用半導(dǎo)體材料制作霍爾元器件。
    若設(shè)KH=RH/d=l/ned,則式(6-34)可寫成
                               UH=KHIB    (6-35)
式中,KH稱為霍爾元器件的靈敏度。
    霍爾元器件靈敏度KH是表征霍爾元器件在單位電流、單位磁感應(yīng)強度對輸出霍爾電壓大小的一個重要參數(shù)。一般來說,KH越大越好。而KH與元器件材料的性質(zhì)和幾何尺寸有關(guān),即靈敏度KH與霍爾元器件的厚度成反比。元器件的厚度越小,靈敏度就越高,所以霍爾元器件的厚度都比較小。但在考慮提高靈敏度的同時,必須兼顧元器件的強度和內(nèi)阻。   D3SBA20


 

    如圖6-66所示,一塊長為L、寬為b、厚度為d的金屬或半導(dǎo)體薄片,放置于磁感應(yīng)強度B的磁場(磁場方向垂直于薄片)中。當(dāng)有電流I流過時,在垂直于電流和磁場的方向上將產(chǎn)生電動勢UH(霍爾電動勢),這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。

                    


    假設(shè)薄片為N形半導(dǎo)體,在其左右兩端通以電流I(稱為控制電流),那么半導(dǎo)體中的載流子(電子)將沿著與電流,相反的方向運動。由于外礅場B的作用,使電子受到磁力FL(洛侖茲力)而發(fā)生偏轉(zhuǎn),結(jié)果在半導(dǎo)體的后端面上電子有所積累,前端面缺少電子,因此后端面帶負(fù)電,前端面帶正電,在前、后端面間形成電場。該電場產(chǎn)生的電場力FE阻止電子繼續(xù)偏轉(zhuǎn)。當(dāng)電場作用在運動電子上的電場力FE與洛侖茲力FL相等時,電子的積累便達(dá)到動態(tài)平衡。這時,在半導(dǎo)體前、后兩端面之間(即垂直于電流和磁場方向)建立電場,稱為霍爾電場EH,相應(yīng)的電勢就稱為霍爾電勢UH。
                                  UH=RH×IB/d           ( 6-34)
式中,RH稱為霍爾系數(shù)。

    由RH=1/ne可知,霍爾系數(shù)由半導(dǎo)體材料決定,它反映了材料的霍爾效應(yīng)的強弱。單位體積內(nèi)導(dǎo)電粒子數(shù)越少,霍爾效應(yīng)越強,因此半導(dǎo)體比金屬導(dǎo)體霍爾效應(yīng)強。在實際應(yīng)用中,一般都采用半導(dǎo)體材料制作霍爾元器件。
    若設(shè)KH=RH/d=l/ned,則式(6-34)可寫成
                               UH=KHIB    (6-35)
式中,KH稱為霍爾元器件的靈敏度。
    霍爾元器件靈敏度KH是表征霍爾元器件在單位電流、單位磁感應(yīng)強度對輸出霍爾電壓大小的一個重要參數(shù)。一般來說,KH越大越好。而KH與元器件材料的性質(zhì)和幾何尺寸有關(guān),即靈敏度KH與霍爾元器件的厚度成反比。元器件的厚度越小,靈敏度就越高,所以霍爾元器件的厚度都比較小。但在考慮提高靈敏度的同時,必須兼顧元器件的強度和內(nèi)阻。   D3SBA20


 

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