(2)加反向電壓
    當(dāng)變?nèi)荻䴓O管兩端加反向電壓時，內(nèi)部的PN結(jié)變厚，如圖3-84 (b)所示，PN結(jié)阻止電流通過，故變?nèi)荻䴓O管處于截止?fàn)顟B(tài)，反向電壓越高，PN結(jié)越厚。PN結(jié)阻止電流通過，相當(dāng)于絕緣介質(zhì)，而P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體分別相當(dāng)于兩個極板，也就是說處于截止?fàn)顟B(tài)的變?nèi)荻䴓O管內(nèi)部會形成電容的結(jié)構(gòu)，這種電容稱為結(jié)電容。普通二極管的P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體都比較小，形成的結(jié)電容很小，可以忽略：而變?nèi)荻䴓O管在制造時特意增大P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的面積，從而增大結(jié)電容。
    也就是說，當(dāng)變?nèi)荻䴓O管兩端加反向電壓時，處于截止?fàn)顟B(tài)，內(nèi)部會形成電容結(jié)構(gòu)，此狀態(tài)下的變?nèi)荻䴓O管可以看成是電容。
    (3)容量變化規(guī)律
    變?nèi)荻䴓O管加反向電壓時可以相當(dāng)于電容，當(dāng)反向電壓改變時，其容量就會發(fā)生變化。下面以圖3-85所示的電路和曲線來說明變?nèi)荻䴓O管容量變化規(guī)律。
    在圖3-85 (a)所示電路中，變?nèi)荻䴓O管VD加有反向電壓，電位器RP用來調(diào)節(jié)反向電壓的大小。當(dāng)RP滑動端右移時，加到變?nèi)荻䴓O管負(fù)端的電壓升高，即反向電壓增大，變?nèi)荻䴓O管內(nèi)部的PN結(jié)變厚，內(nèi)郜的P、N型半導(dǎo)體距離變遠(yuǎn)，形成的電容容量變�。划�(dāng)RP滑動端左移時，變?nèi)荻䴓O管反向電壓減小，內(nèi)部的PN結(jié)變薄，內(nèi)部的P、N型半導(dǎo)體距離變近，形成的電容容量增大。
    也就是說，當(dāng)調(diào)節(jié)變?nèi)荻䴓O管反向電壓時，其容量會發(fā)生變化，反向電壓越高，容量越小，反向電壓越低，容量越大。
    圖3-85 (b)所示的曲線就直觀表示出變?nèi)荻䴓O管兩端反向電壓與容量變化規(guī)律，如當(dāng)反向電壓為2V時，容量為3pF；當(dāng)反向電壓增大到6V時，容量減小到2pF。