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三點(diǎn)式振蕩器特點(diǎn)

發(fā)布時(shí)間:2011/11/10 11:05:47 訪問次數(shù):5310

     三點(diǎn)式振蕩器是指晶體管的3個(gè)電極直接與振蕩回路的3個(gè)端點(diǎn)相連接而構(gòu)成的振蕩器,如圖9-56所示。在3個(gè)電抗中,Xbe、Xce必須是相同性質(zhì)的電抗(同是電感或同是電容),Xeb則必須是與前兩者相反性質(zhì)的電抗,才能滿足振蕩的相位條件。

                       
    三點(diǎn)式振蕩器有多種形式,較常用的有電感三點(diǎn)式振蕩器、EL5611IREZ電容三點(diǎn)式振蕩器、改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器等。
    (1)電感三點(diǎn)式振蕩器
    電感三點(diǎn)式振蕩器電路如圖9-57所示。L1、L2、C4為構(gòu)成振蕩回路的3個(gè)電抗。R1、R2為振蕩晶體管VT的基極偏置電阻,R3為集電極電阻,R。為發(fā)射極電阻。C1、C3為基極、集電極耦合電容,C2為旁路電容。由于振蕩回路的3個(gè)電抗中有兩個(gè)是電感,所以叫做電感三點(diǎn)式振蕩器。

                       
    電感三點(diǎn)式振蕩器是利用自耦變壓器將輸出電壓Uo反饋到輸入端的。其交流等效電路如圖9-58 (a)所示。電感L1和L2可看成是一個(gè)自耦變壓器,L1上的輸出電壓Uo通過自耦在L2上產(chǎn)生反饋電壓Uβ,Uβ與Uo反相而與Ui同相,即正反饋。

                 
    電感三點(diǎn)式振蕩器的優(yōu)點(diǎn)是容易起振,波段頻率范圍較寬;缺點(diǎn)是振蕩輸出電壓波形不夠好,諧波較多。
   (2)電容三點(diǎn)式振蕩器
    電容三點(diǎn)式振蕩器電路如圖9-59所示。L、C3、C4為構(gòu)成振蕩回路的3個(gè)電抗。R1、R2為晶體管Ⅵ’的基極偏置電阻,R3為集電極電阻,R4為發(fā)射極電阻。C1為基極耦合電容,C2為旁路電容。由于振蕩回路的3個(gè)電抗中有兩個(gè)是電容,所以叫做電容三點(diǎn)式振蕩器。

                    
    電容三點(diǎn)式振蕩器的交流等效電路如圖9-60所示。C3上的輸出電壓Uo同時(shí)加在L、C4支路上,由于電感上電流滯后電壓90。,所以支路電流,比Uo滯后90。.而,流過電容C4所產(chǎn)生的反饋電壓Uβ又比I滯后90。,即與輸出電壓Vo反相(相差180。)而與輸入電壓“同相,實(shí)現(xiàn)了正反饋。

                                         

      電容三點(diǎn)式振蕩器的優(yōu)點(diǎn)是振蕩輸出電壓波形好,振蕩頻率較穩(wěn)定;缺點(diǎn)是不易起振,波段頻率范圍較窄。
    (3)改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器
    改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器電路如圖9-61所示。振蕩回路由L1、C2、C3和C4構(gòu)成。R1、R2為晶體管VT的基極偏置電阻,R3為集電極電阻,R4為發(fā)射極電阻。C1為交流旁路電容。振蕩電壓由L1耦合至L2輸出。

                    
    改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器的交流等效電路如圖9-62所示。其特點(diǎn)是將大容量的C2、C3分別并聯(lián)在VT的集電極一發(fā)射極、基極一發(fā)射極之間,在L1支路中則串聯(lián)一個(gè)小容量的電容器C4。當(dāng)C2、C3的容量遠(yuǎn)大于C4的容量時(shí),振蕩頻率主要由L1和C4決定,

                           

     三點(diǎn)式振蕩器是指晶體管的3個(gè)電極直接與振蕩回路的3個(gè)端點(diǎn)相連接而構(gòu)成的振蕩器,如圖9-56所示。在3個(gè)電抗中,Xbe、Xce必須是相同性質(zhì)的電抗(同是電感或同是電容),Xeb則必須是與前兩者相反性質(zhì)的電抗,才能滿足振蕩的相位條件。

                       
    三點(diǎn)式振蕩器有多種形式,較常用的有電感三點(diǎn)式振蕩器、EL5611IREZ電容三點(diǎn)式振蕩器、改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器等。
    (1)電感三點(diǎn)式振蕩器
    電感三點(diǎn)式振蕩器電路如圖9-57所示。L1、L2、C4為構(gòu)成振蕩回路的3個(gè)電抗。R1、R2為振蕩晶體管VT的基極偏置電阻,R3為集電極電阻,R。為發(fā)射極電阻。C1、C3為基極、集電極耦合電容,C2為旁路電容。由于振蕩回路的3個(gè)電抗中有兩個(gè)是電感,所以叫做電感三點(diǎn)式振蕩器。

                       
    電感三點(diǎn)式振蕩器是利用自耦變壓器將輸出電壓Uo反饋到輸入端的。其交流等效電路如圖9-58 (a)所示。電感L1和L2可看成是一個(gè)自耦變壓器,L1上的輸出電壓Uo通過自耦在L2上產(chǎn)生反饋電壓Uβ,Uβ與Uo反相而與Ui同相,即正反饋。

                 
    電感三點(diǎn)式振蕩器的優(yōu)點(diǎn)是容易起振,波段頻率范圍較寬;缺點(diǎn)是振蕩輸出電壓波形不夠好,諧波較多。
   (2)電容三點(diǎn)式振蕩器
    電容三點(diǎn)式振蕩器電路如圖9-59所示。L、C3、C4為構(gòu)成振蕩回路的3個(gè)電抗。R1、R2為晶體管Ⅵ’的基極偏置電阻,R3為集電極電阻,R4為發(fā)射極電阻。C1為基極耦合電容,C2為旁路電容。由于振蕩回路的3個(gè)電抗中有兩個(gè)是電容,所以叫做電容三點(diǎn)式振蕩器。

                    
    電容三點(diǎn)式振蕩器的交流等效電路如圖9-60所示。C3上的輸出電壓Uo同時(shí)加在L、C4支路上,由于電感上電流滯后電壓90。,所以支路電流,比Uo滯后90。.而,流過電容C4所產(chǎn)生的反饋電壓Uβ又比I滯后90。,即與輸出電壓Vo反相(相差180。)而與輸入電壓“同相,實(shí)現(xiàn)了正反饋。

                                         

      電容三點(diǎn)式振蕩器的優(yōu)點(diǎn)是振蕩輸出電壓波形好,振蕩頻率較穩(wěn)定;缺點(diǎn)是不易起振,波段頻率范圍較窄。
    (3)改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器
    改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器電路如圖9-61所示。振蕩回路由L1、C2、C3和C4構(gòu)成。R1、R2為晶體管VT的基極偏置電阻,R3為集電極電阻,R4為發(fā)射極電阻。C1為交流旁路電容。振蕩電壓由L1耦合至L2輸出。

                    
    改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器的交流等效電路如圖9-62所示。其特點(diǎn)是將大容量的C2、C3分別并聯(lián)在VT的集電極一發(fā)射極、基極一發(fā)射極之間,在L1支路中則串聯(lián)一個(gè)小容量的電容器C4。當(dāng)C2、C3的容量遠(yuǎn)大于C4的容量時(shí),振蕩頻率主要由L1和C4決定,

                           

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