晶體具有壓電效應，其固有諧振頻率十分穩(wěn)定，因此晶體振蕩器具有非常高的頻率穩(wěn)定度。根據(jù)晶體在電路中的作用形式，常用的晶體振蕩器可分為并聯(lián)晶體振蕩器和串聯(lián)晶體振蕩器兩類。
    (1)并聯(lián)晶體振蕩器
    并聯(lián)晶體振蕩器電路如圖9-63所示。晶體B作為反饋元件，TB6819FG并聯(lián)于晶體管VT的集電極與基極之間。R1、R2為晶體管VT的基極偏置電阻，R3為集電極電阻，R4為發(fā)射極電阻。C1為基極旁路電容。

                   
    從如圖9-64所示交流等效電路可見，這是一個電容三點式振蕩器。晶體B在這里等效為一個電感元件使用，與振蕩回路電容C2. C3一起組成并聯(lián)諧振回路，共同決定電路的振蕩頻率。

      并聯(lián)晶體振蕩器穩(wěn)頻原理如下：因為晶體的電抗曲線非常陡峭，可等效為一個隨頻率有很大變化的電感。當由于溫度、分布電容等因素使振蕩頻率降低時，晶體的等效電感量就會迅速減小，迫使振蕩頻率回升；反之，則做反方向調(diào)整，最終使得振蕩器具有很高的頻率穩(wěn)定度。
    (2)串聯(lián)晶體振蕩器
    串聯(lián)晶體振蕩器電路如圖9-65所示。晶體管VT1、VT2組成麗級阻容耦合放大器。晶體B與C2串聯(lián)后作為兩級放大器的反饋網(wǎng)絡。R1、R3分別為VT1、VT2的基極偏置電阻，R2、R4分別為VT1、VT2的集電極負載電阻。C1為兩管間的耦合電容，C3為振蕩器輸出耦合電容。

                            
    串聯(lián)晶體振蕩器的交流等效電路如圖9-66所示。因為兩級放大器的輸出電壓（VT2的集電極電壓）與輸入電壓（VT1的基極電壓）同相，晶體B在這里等效為一個純電阻使用，將VT2的集電極電壓反饋到VT1的基極，構(gòu)成正反饋電路。電路振蕩頻率由晶體的固有串聯(lián)諧振頻率決定。
    串聯(lián)晶體振蕩器穩(wěn)頻原理如下：因為晶體的固有諧振頻率非常穩(wěn)定，在反饋電路中起著帶通濾波器的作用。當電路頻率等于晶體的串聯(lián)諧振頻率時，晶體呈現(xiàn)為純電阻，實現(xiàn)正反饋，屯路振蕩。當電路頻率偏離晶體的串聯(lián)諧振頻率時，晶體將不再是純電阻（呈現(xiàn)感抗或容抗），破壞了振蕩的相位條件。因此，振蕩頻率只能等于晶體的固有串聯(lián)諧振頻率。