我們先介紹兩個(gè)重要的參數(shù)，βDC（直流電流增益）和aDC，并且利用它們來(lái)分析晶體管電路。同時(shí)也會(huì)討論晶體管的特性曲線，你將會(huì)學(xué)習(xí)到如何由這些曲線來(lái)說(shuō)明電晶體的工作原理。最后，將會(huì)討論晶體管的最大額定值。
    在學(xué)完這一節(jié)后，你應(yīng)該能夠：討論晶體管參數(shù)和特性，以及使用這些來(lái)分析晶體管電路；定義直流p值(βDC)；定義直流a值(aDC)；確認(rèn)晶體管電路中所有的電流和電壓；分析基本的晶體管直流電路；說(shuō)明集電極特性曲線和如何使用直流負(fù)載線(DC load line)；說(shuō)明βDC是如何隨溫度和集電極電流變化；參與討論和應(yīng)用最大的晶體管額定值；如何將晶體管的功率消耗加以額降；說(shuō)明晶體管的特性參數(shù)表。
    如上一節(jié)所討論，當(dāng)晶體管接上直流偏壓時(shí)，如圖4.6中所示的NPN和PNP類型，VCC對(duì)基極一發(fā)射極結(jié)施加正向偏壓，而VCC對(duì)基極一集電極結(jié)施加反向偏壓。雖然在這一章，我們使用電池符號(hào)來(lái)表示偏置電壓，但實(shí)際上這些電壓通常是由直流電源供應(yīng)器提供。例如，VCC通常是直接從電源供應(yīng)器的輸出端取得，而（這個(gè)電壓較低）則可利用分壓器產(chǎn)生。

                      
    1. 直流β值 (βDC)與直流a值（aDC）
    直流集電極電流(Ic)與直流基極電流(IB)的比值，即是直流β值(β3DC)，它代表電晶體的直流電流增益。
    βDC=Ic/IB       (4.2)
    βDC的標(biāo)準(zhǔn)值范圍是從小于20～200或更高。βDC在晶體管特性參數(shù)表中，通常表示為另一個(gè)相同的hybrid(h)參數(shù)，hFE。目前你所需要知道的就是    hFE=βDC
    直流集電極電流(Ic)與直流發(fā)射極電流(IE)的比值，即為直流a值(aDC)。在晶體管電路中，a值是比β值較少被用到的參數(shù)。
                        aDC=Ic/IE
    通常，aDC僮的范圍是從o．95～0. 99或是更大，但是aDc永遠(yuǎn)小于1。原因是Ic永遠(yuǎn)會(huì)比IE少一個(gè)IB的值。舉例來(lái)說(shuō)，若IE =lOOmA以及IB=lmA，那IC=99mA以及aDC=0.99。
   2.電流與電壓的分析
    考慮圖4.7中的基本晶體管偏壓電路狀態(tài)。

                               
    IB為直流基極電流；
    IE為直流發(fā)射極電流；
    IC為直流集電極電流；
    VBE為基極對(duì)發(fā)射極直流電壓；
    VCB為集電極對(duì)基極的直流電壓；
    VCE為集電極對(duì)發(fā)射極的直流電壓。
    對(duì)基極一發(fā)射極結(jié)施加正向偏壓，對(duì)基極一集電極結(jié)施加反向偏壓。當(dāng)基極一發(fā)射極結(jié)為正向偏壓時(shí)，它就像一個(gè)正向偏壓的二極管，并且會(huì)有一個(gè)微小的正向電壓降值：   

                   VBE≈0.7V    (4.3)
    雖然在一個(gè)真正的晶體管中，可以到達(dá)0.9V之高而且會(huì)和電流有關(guān)，我們?cè)诒緯袑⑹褂?.7V，這是為了簡(jiǎn)化分析以便能夠表達(dá)基本概念的目的。
    既然發(fā)射極是接地(OV)，由基爾霍夫電壓定律(Kirchhoff's Voltage Law)，
    兩端的電壓為    VRn=VBB-VBE
    同時(shí)，由歐姆定律(Ohm's law)，    VRn=IBRB
   3.集電極特性曲線
    使用如圖4.9(a)所示的電路，你可以產(chǎn)生一組集電極特性曲線( collector characteristic curves)，用來(lái)表示集電極電流在固定的基極電流下，是如何隨著集電極一發(fā)射極電壓VCE改變。請(qǐng)注意，電路圖中的VBB和Vcc都是可調(diào)電壓源。

         
    假設(shè)設(shè)定的VBB可產(chǎn)生一定的IB值，且Vcc為零。在這種情況下，基極一發(fā)射極結(jié)和基極一集電極結(jié)都是正向偏壓，這是因?yàn)榛鶚O電壓大約在0. 7V，而發(fā)射極與集電極都在是OV。基極電流會(huì)通過(guò)基極一發(fā)射極，這是因?yàn)樗浇拥刂g為低阻抗，因此為零。當(dāng)兩個(gè)PN結(jié)都是正向偏壓時(shí)，晶體管會(huì)工作在飽和區(qū)(saturation)。
    當(dāng)Vcc增加，會(huì)因?yàn)榧姌O電流的增加，導(dǎo)致VCE慢慢地增加。這可由圖4.9(b)中的特性曲線，介于A點(diǎn)和B點(diǎn)之間的部分看出。Ic會(huì)隨著Vcc增加，這是因?yàn)闀?huì)因基極一集電極結(jié)正向偏壓而維持在低于0.7V的幅度。
    理論上，當(dāng)VCE超過(guò)0.7 V時(shí)，基極一集電極結(jié)會(huì)成為反向倔壓，而晶體管會(huì)進(jìn)入它的作用區(qū)(active)或線性( linear)工作區(qū)。一旦基極一集電極結(jié)成為反向偏壓時(shí)，對(duì)于一定的IB，當(dāng)VCE不斷地增加時(shí)，Ie會(huì)大略持平且基本上維持一個(gè)定值。事實(shí)上，Ie會(huì)稍微隨著VCE的增加而增加，這是由于基極一發(fā)射極結(jié)的耗盡區(qū)變寬所引起。這會(huì)導(dǎo)致在基極區(qū)域較少數(shù)量的空穴能夠與自由電子再結(jié)合，因此造成稍微增加。這可由圖4.9(b)中的特性曲線，介于點(diǎn)B和點(diǎn)C之間的部分看出。在這個(gè)部分的特性曲線圖，IC完全由IC=βDCIB的關(guān)系決定。
    當(dāng)VCE到達(dá)一個(gè)夠高的電位時(shí)，反向偏壓的基極一集電極結(jié)會(huì)進(jìn)入擊穿區(qū)，這時(shí)集電極電流IC會(huì)快速增加，如圖4.9(b)中C點(diǎn)右邊的曲線所表示。晶體管應(yīng)該不能工作于擊穿區(qū)。
    按照不同的IB值來(lái)繪制Ie對(duì)VCE的曲線，就可得到一系列的集電極特性曲線，如圖4.9(c)所示。當(dāng)IB=O，晶體管是在截止( cutoff)區(qū)，雖然這時(shí)仍有很小的集電極泄漏電流，如圖所示。圖中所見(jiàn)的IB=0時(shí)的集電極泄漏電流，D3P-052 是為了說(shuō)明而加以放大顯示。