D-MOSFET放大器動(dòng)作原理
發(fā)布時(shí)間:2011/12/16 11:02:24 訪問次數(shù):1773
圖8.13顯示N溝道D-MOSFET共源極零偏壓電路, X25160ST1交流信號(hào)源以電容器耦合到柵極。柵極約為直流OV而源極端接地,所以使得VGS=OV。
信號(hào)電壓導(dǎo)致Vgs在零幅度上下變動(dòng),Id因此也上下變動(dòng),如圖8. 14所示。Vgs往負(fù)方向變化,導(dǎo)致元件處于耗盡模式,因此L減少。Vgs往正方向變化,導(dǎo)致元件處于增強(qiáng)模式,Id因此增加。請(qǐng)注意,增強(qiáng)模式位在垂直軸VGS=0右側(cè),耗盡模式位在垂直軸左側(cè)。這個(gè)放大器的直流分析比JFET簡(jiǎn)單一些,因?yàn)樵赩GS=0時(shí)ID=IDSS。只要知道ID,分析工作就只剩計(jì)算VD。
VD=VDD-IDRD
交流分析的過程與JFET放大器相同。
圖8.13顯示N溝道D-MOSFET共源極零偏壓電路, X25160ST1交流信號(hào)源以電容器耦合到柵極。柵極約為直流OV而源極端接地,所以使得VGS=OV。
信號(hào)電壓導(dǎo)致Vgs在零幅度上下變動(dòng),Id因此也上下變動(dòng),如圖8. 14所示。Vgs往負(fù)方向變化,導(dǎo)致元件處于耗盡模式,因此L減少。Vgs往正方向變化,導(dǎo)致元件處于增強(qiáng)模式,Id因此增加。請(qǐng)注意,增強(qiáng)模式位在垂直軸VGS=0右側(cè),耗盡模式位在垂直軸左側(cè)。這個(gè)放大器的直流分析比JFET簡(jiǎn)單一些,因?yàn)樵赩GS=0時(shí)ID=IDSS。只要知道ID,分析工作就只剩計(jì)算VD。
VD=VDD-IDRD
交流分析的過程與JFET放大器相同。
上一篇:共漏極放大器
熱門點(diǎn)擊
- 差分放大電路工作原理
- 雙向晶閘管
- 雙端輸入、單端輸出式差分放大器
- TTL與非門簡(jiǎn)易多諧振蕩器
- 負(fù)反饋對(duì)放大電路的影響
- 半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線
- 二極管的結(jié)構(gòu)及工作狀態(tài)判斷方法
- 三極管微變等效模型(小信號(hào)模型)的建立
- 瞬態(tài)電壓抑制二極管外形特征和電路符號(hào)
- 電容濾波電路
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣,同時(shí)又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- GB300 超級(jí)芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個(gè)最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究