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D-MOSFET放大器動(dòng)作原理

發(fā)布時(shí)間:2011/12/16 11:02:24 訪問次數(shù):1773

      圖8.13顯示N溝道D-MOSFET共源極零偏壓電路, X25160ST1交流信號(hào)源以電容器耦合到柵極。柵極約為直流OV而源極端接地,所以使得VGS=OV。

                    
    信號(hào)電壓導(dǎo)致Vgs在零幅度上下變動(dòng),Id因此也上下變動(dòng),如圖8. 14所示。Vgs往負(fù)方向變化,導(dǎo)致元件處于耗盡模式,因此L減少。Vgs往正方向變化,導(dǎo)致元件處于增強(qiáng)模式,Id因此增加。請(qǐng)注意,增強(qiáng)模式位在垂直軸VGS=0右側(cè),耗盡模式位在垂直軸左側(cè)。這個(gè)放大器的直流分析比JFET簡(jiǎn)單一些,因?yàn)樵赩GS=0時(shí)ID=IDSS。只要知道ID,分析工作就只剩計(jì)算VD。

                
         VD=VDD-IDRD
    交流分析的過程與JFET放大器相同。

      圖8.13顯示N溝道D-MOSFET共源極零偏壓電路, X25160ST1交流信號(hào)源以電容器耦合到柵極。柵極約為直流OV而源極端接地,所以使得VGS=OV。

                    
    信號(hào)電壓導(dǎo)致Vgs在零幅度上下變動(dòng),Id因此也上下變動(dòng),如圖8. 14所示。Vgs往負(fù)方向變化,導(dǎo)致元件處于耗盡模式,因此L減少。Vgs往正方向變化,導(dǎo)致元件處于增強(qiáng)模式,Id因此增加。請(qǐng)注意,增強(qiáng)模式位在垂直軸VGS=0右側(cè),耗盡模式位在垂直軸左側(cè)。這個(gè)放大器的直流分析比JFET簡(jiǎn)單一些,因?yàn)樵赩GS=0時(shí)ID=IDSS。只要知道ID,分析工作就只剩計(jì)算VD。

                
         VD=VDD-IDRD
    交流分析的過程與JFET放大器相同。

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