圖8. 31顯示MOSFET放大器的面包板測試工作臺。已經(jīng)有二級放大器安裝在面包板上等待測試。電路中的兩個(gè)2N3797晶體管是由許多個(gè)同型號晶體管中挑選出來。
    確認(rèn)面包板上的電路連接正確無誤。

      面包板上電路的測試工作顯示在圖8.32中，其中每組的測試結(jié)果是針對不同晶體管進(jìn)行的。也就是說，對兩個(gè)任意挑選出來的2N3797測量得到第一組數(shù)據(jù)后，再任意挑選兩個(gè)晶體管替換它們，然后再測量得到第二組數(shù)據(jù)。加上圓圈的數(shù)字可以指出測試時(shí)連接到電路的測試點(diǎn)。

              
    解釋為什么兩組直流電壓數(shù)據(jù)會不同。
    解釋為什么兩組交流電壓數(shù)據(jù)會不同。
    利用圖8.32的測量數(shù)據(jù)，可以求出每個(gè)晶體管的IDSS和gm嗎？如果可以，試求出四個(gè)不同MOSFET的IDSS和gm。
    利用圖8.32的每組測量數(shù)據(jù)，TB6819FG求出每個(gè)單級放大器的電壓增益。
    當(dāng)VDS設(shè)定在電源電壓12V的中間值6V時(shí)，假設(shè)借著仔細(xì)選擇出具有最大gm值和一般IDSS的MOS-FET，F(xiàn)ET放大電路可以獲得最大電壓增益的理論值，則需要多少級FET放大器才能使總電壓增益相當(dāng)于圖8.28BJT放大器的最大電壓增益？如果輸入電路有衰減現(xiàn)象，請記得考慮它的影響。