N溝道增強型MOS管的特性曲線
發(fā)布時間:2012/2/9 22:34:14 訪問次數(shù):20295
(1)轉(zhuǎn)移特性曲線BCM2091IFBG
轉(zhuǎn)移特性曲線是指漏源電壓UDS為定值時,漏極電流iD與柵源電壓UG。之間的關(guān)系曲線如圖1 - 37(a)所示。
當ucs <U。時,iD一0;當Ucs >UT時,ZD隨Ucs的增大而增大。在較小的范圍內(nèi),可以認為UcS和ZD成線性關(guān)系,通過Ucs大小的變化,即電場的變化,可以控制的變化。
(2)輸出特性曲線
輸出特性曲線是指柵源電壓Ucs為定值時,漏極電流iD與漏源電壓UDS的關(guān)系曲線,如圖1 - 37(b)所示。按場效應(yīng)管的工作特性可將輸出特性分為三個區(qū)域。
①可變電阻區(qū)(I區(qū))。UDS相對較小,iD隨UDS增大而增大,Ucs增大,曲線變陡,說明輸出電阻隨變化而變化,故稱為可變電阻區(qū)。
②放大區(qū)或飽和區(qū)(Ⅱ區(qū))。又稱恒流區(qū)。漏極電流基本不隨UDS的變化而變化,只Ucs的增大而增大,體現(xiàn)了UGS對iD的控制作用。
③擊穿區(qū)(Ⅲ區(qū))。當UDS增大到一定值時,場效應(yīng)管內(nèi)PN結(jié)被擊穿。突然增大,如無限流措施,管子將損壞。
(1)轉(zhuǎn)移特性曲線BCM2091IFBG
轉(zhuǎn)移特性曲線是指漏源電壓UDS為定值時,漏極電流iD與柵源電壓UG。之間的關(guān)系曲線如圖1 - 37(a)所示。
當ucs <U。時,iD一0;當Ucs >UT時,ZD隨Ucs的增大而增大。在較小的范圍內(nèi),可以認為UcS和ZD成線性關(guān)系,通過Ucs大小的變化,即電場的變化,可以控制的變化。
(2)輸出特性曲線
輸出特性曲線是指柵源電壓Ucs為定值時,漏極電流iD與漏源電壓UDS的關(guān)系曲線,如圖1 - 37(b)所示。按場效應(yīng)管的工作特性可將輸出特性分為三個區(qū)域。
①可變電阻區(qū)(I區(qū))。UDS相對較小,iD隨UDS增大而增大,Ucs增大,曲線變陡,說明輸出電阻隨變化而變化,故稱為可變電阻區(qū)。
②放大區(qū)或飽和區(qū)(Ⅱ區(qū))。又稱恒流區(qū)。漏極電流基本不隨UDS的變化而變化,只Ucs的增大而增大,體現(xiàn)了UGS對iD的控制作用。
③擊穿區(qū)(Ⅲ區(qū))。當UDS增大到一定值時,場效應(yīng)管內(nèi)PN結(jié)被擊穿。突然增大,如無限流措施,管子將損壞。
上一篇:絕緣柵場效應(yīng)管
上一篇:耗盡型MOS管
熱門點擊
- N溝道增強型MOS管的特性曲線
- 用555定時器組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
- 壓敏電阻器外形特征和電路圖形符號
- 面包板
- 絕緣柵雙極晶體管
- 手工蝕刻法的工藝過程
- 用毫伏表測量以上正弦波電壓
- 集成運算放大器簡介
- 集成電路的外形特征和圖形符號
- 正向電阻小、反向電阻大特性
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究