耗盡型MOS管
發(fā)布時(shí)間:2012/2/9 22:38:56 訪問(wèn)次數(shù):8189
耗盡型MOS管在結(jié)構(gòu)上與增強(qiáng)型MOS管相似,其不同點(diǎn)僅在于襯底靠近柵極附近存在著原導(dǎo)電溝道,因此,只要加上UD。電壓,即使UGS =0,管子也能導(dǎo)通,形成io。其圖形符號(hào)中D極與S極間用實(shí)線相連(增強(qiáng)型為斷續(xù)線),即表明當(dāng)UGs =0時(shí)導(dǎo)電溝道已形成。BCM21553KFFBG
以N溝道耗盡型MOS管為例,其轉(zhuǎn)移特性和輸出特性如圖1- 39所示。
由圖1- 39可見(jiàn),當(dāng)UDS -定,UG。由零增大時(shí),iD相應(yīng)增大;反之,當(dāng)Ucs由零向負(fù)值方向增大時(shí),iD相應(yīng)減小。iD =0時(shí)所對(duì)應(yīng)的UG。稱為夾斷電壓,用U。表示。實(shí)際上,夾斷電壓也可理解為導(dǎo)電溝道開(kāi)始形成時(shí)的開(kāi)啟電壓。
主要參數(shù)
(1)開(kāi)啟電壓UT
指當(dāng)UDS為定值時(shí),使增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的UG。值。N溝道管的UT為正值,P溝道管的UT為負(fù)值。
(2)夾斷電壓U。
指當(dāng)U DS為定值時(shí),使耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管i。減小到近似為零時(shí)的UGS值。N溝道管的Up為負(fù)值,P溝道管的Up為正值。
(3)飽和漏極電流IDSS
指當(dāng)ucs一o,且UDS >U,時(shí),耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管所對(duì)應(yīng)的漏極電流。
(4)跨導(dǎo)gm
指當(dāng)U DS為定值時(shí),iD的變化量與UCS的變化量之比。
gm值的大小反映了柵源電壓UG。對(duì)漏極電流iD的控制能力。
gm的單位是S(西門子)或mS。
耗盡型MOS管在結(jié)構(gòu)上與增強(qiáng)型MOS管相似,其不同點(diǎn)僅在于襯底靠近柵極附近存在著原導(dǎo)電溝道,因此,只要加上UD。電壓,即使UGS =0,管子也能導(dǎo)通,形成io。其圖形符號(hào)中D極與S極間用實(shí)線相連(增強(qiáng)型為斷續(xù)線),即表明當(dāng)UGs =0時(shí)導(dǎo)電溝道已形成。BCM21553KFFBG
以N溝道耗盡型MOS管為例,其轉(zhuǎn)移特性和輸出特性如圖1- 39所示。
由圖1- 39可見(jiàn),當(dāng)UDS -定,UG。由零增大時(shí),iD相應(yīng)增大;反之,當(dāng)Ucs由零向負(fù)值方向增大時(shí),iD相應(yīng)減小。iD =0時(shí)所對(duì)應(yīng)的UG。稱為夾斷電壓,用U。表示。實(shí)際上,夾斷電壓也可理解為導(dǎo)電溝道開(kāi)始形成時(shí)的開(kāi)啟電壓。
主要參數(shù)
(1)開(kāi)啟電壓UT
指當(dāng)UDS為定值時(shí),使增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的UG。值。N溝道管的UT為正值,P溝道管的UT為負(fù)值。
(2)夾斷電壓U。
指當(dāng)U DS為定值時(shí),使耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管i。減小到近似為零時(shí)的UGS值。N溝道管的Up為負(fù)值,P溝道管的Up為正值。
(3)飽和漏極電流IDSS
指當(dāng)ucs一o,且UDS >U,時(shí),耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管所對(duì)應(yīng)的漏極電流。
(4)跨導(dǎo)gm
指當(dāng)U DS為定值時(shí),iD的變化量與UCS的變化量之比。
gm值的大小反映了柵源電壓UG。對(duì)漏極電流iD的控制能力。
gm的單位是S(西門子)或mS。
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