集成電路的功耗包含有動(dòng)態(tài)功耗( Dynamic Power)和靜態(tài)功耗(Static Power)兩大部分SER2012-801MLB    

    動(dòng)態(tài)功耗是電路處于活動(dòng)期間所消耗的功耗，在電路的工作狀態(tài)發(fā)生變化時(shí)產(chǎn)生，主要包括：由于邏輯跳變引起的電容功耗、由于通路延時(shí)引起的競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)功耗、由于電路瞬間導(dǎo)通引起的短路功耗。動(dòng)態(tài)功耗是電路功耗的主要組成部分。
    靜態(tài)功耗是指當(dāng)電路處于電源供電狀態(tài)而沒(méi)有信號(hào)翻轉(zhuǎn)時(shí)所消耗的功率。在CMOS電路中，靜態(tài)功耗主要是由漏電流引起的。當(dāng)電路工藝進(jìn)入深亞微米和納米階段后，漏電流帶來(lái)的靜態(tài)功耗也成為集成電路功耗的主要組成部分。
    在進(jìn)行集成電路延遲時(shí)間和功耗的分析時(shí)常采用CMOS倒相器。CMOS倒相器電路結(jié)構(gòu)和傳輸特性曲線如圖1.1所示。從圖1.1(b)中的AB段和CD段可見(jiàn)，當(dāng)電路處在靜態(tài)時(shí)，如果忽略器件的漏電流，CMOS反相器的功耗幾乎為零。當(dāng)電路發(fā)生狀態(tài)翻轉(zhuǎn)時(shí)(BC段)，N管和P管具有一段同時(shí)導(dǎo)通的時(shí)間，此時(shí)，存在一個(gè)從電源通過(guò)兩個(gè)管子流向地的電流。的存在表示器件在BC段存在著功率消耗。這個(gè)功率消耗在對(duì)鐘頻率較高時(shí)尤為突出，時(shí)鐘速度越高，意味著每狀態(tài)的切換次數(shù)越多，也就意味著存在更多的功率消耗。除此之外，器件還存在一個(gè)有漏電流產(chǎn)生的靜態(tài)功耗。