集成電路的功耗包含有動態(tài)功耗( Dynamic Power)和靜態(tài)功耗(Static Power)兩大部分SER2012-801MLB    

    動態(tài)功耗是電路處于活動期間所消耗的功耗，在電路的工作狀態(tài)發(fā)生變化時產(chǎn)生，主要包括：由于邏輯跳變引起的電容功耗、由于通路延時引起的競爭冒險功耗、由于電路瞬間導(dǎo)通引起的短路功耗。動態(tài)功耗是電路功耗的主要組成部分。
    靜態(tài)功耗是指當電路處于電源供電狀態(tài)而沒有信號翻轉(zhuǎn)時所消耗的功率。在CMOS電路中，靜態(tài)功耗主要是由漏電流引起的。當電路工藝進入深亞微米和納米階段后，漏電流帶來的靜態(tài)功耗也成為集成電路功耗的主要組成部分。
    在進行集成電路延遲時間和功耗的分析時常采用CMOS倒相器。CMOS倒相器電路結(jié)構(gòu)和傳輸特性曲線如圖1.1所示。從圖1.1(b)中的AB段和CD段可見，當電路處在靜態(tài)時，如果忽略器件的漏電流，CMOS反相器的功耗幾乎為零。當電路發(fā)生狀態(tài)翻轉(zhuǎn)時(BC段)，N管和P管具有一段同時導(dǎo)通的時間，此時，存在一個從電源通過兩個管子流向地的電流。的存在表示器件在BC段存在著功率消耗。這個功率消耗在對鐘頻率較高時尤為突出，時鐘速度越高，意味著每狀態(tài)的切換次數(shù)越多，也就意味著存在更多的功率消耗。除此之外，器件還存在一個有漏電流產(chǎn)生的靜態(tài)功耗。