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短路功耗

發(fā)布時間:2012/2/17 21:50:02 訪問次數(shù):1720

    在理想情況下,反相器的輸入信號為階躍信號,并且輸入信號的變化會立即導(dǎo)致輸出信號的變化。在任何時間,PMOS管與NMOS管中只有一個管子被開啟,而另一個截止。在電源與地之間不會產(chǎn)生電流通路,也就不會產(chǎn)生功率損耗。SER2014-801MLB
    但在實(shí)際電路中,輸入信號存在上升和下降延時。假設(shè)NMOS管和PMOS管的閾值電壓分別為VT。和VTN,當(dāng)VTN<VIN<VDD-1 VTP時,在開關(guān)過程中NMOS和PMOS會同時導(dǎo)通,如圖1.3所示,VD。和GND之間在短期內(nèi)存在短路電流產(chǎn)生的短路功耗。
                            
    短路功耗一般占總功耗的10%左右。由短路功耗可以看出,短路功耗與器件的尺寸、上升與下降延遲丁、閾值電壓VT和輸出負(fù)載CL有關(guān)。
    降低短路功耗最有效的方法是:使輸出的上升/下降時間大于輸入昀上升/下降時間,就能達(dá)到優(yōu)化短路功耗的目的。但輸出的上升/下降時間太大會降低電路的速度,并在扇出門中引起短路電流。
    在理想情況下,反相器的輸入信號為階躍信號,并且輸入信號的變化會立即導(dǎo)致輸出信號的變化。在任何時間,PMOS管與NMOS管中只有一個管子被開啟,而另一個截止。在電源與地之間不會產(chǎn)生電流通路,也就不會產(chǎn)生功率損耗。SER2014-801MLB
    但在實(shí)際電路中,輸入信號存在上升和下降延時。假設(shè)NMOS管和PMOS管的閾值電壓分別為VT。和VTN,當(dāng)VTN<VIN<VDD-1 VTP時,在開關(guān)過程中NMOS和PMOS會同時導(dǎo)通,如圖1.3所示,VD。和GND之間在短期內(nèi)存在短路電流產(chǎn)生的短路功耗。
                            
    短路功耗一般占總功耗的10%左右。由短路功耗可以看出,短路功耗與器件的尺寸、上升與下降延遲丁、閾值電壓VT和輸出負(fù)載CL有關(guān)。
    降低短路功耗最有效的方法是:使輸出的上升/下降時間大于輸入昀上升/下降時間,就能達(dá)到優(yōu)化短路功耗的目的。但輸出的上升/下降時間太大會降低電路的速度,并在扇出門中引起短路電流。

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