選擇合適的總線寬度
發(fā)布時間:2012/2/17 22:11:56 訪問次數(shù):1105
如果考慮數(shù)據(jù)傳輸速度,微處理器的總線寬度越寬越好。而對于一個對功耗敏感的低功耗系統(tǒng)來說,如何選擇微處理器的總線寬度就需要仔細考慮了。
SLC7649
根對于總線上的每一條線,都會存在這樣的功率消耗。顯而易見,當總線寬度越寬(數(shù)量越多)時,功耗自然越大?偩的每一條線上的容性負載可能不一樣,但一般都在4—12pF之間。如表1.1所示,一片lMb Flash通過8bit和16bit的總線與微處理器相連,在總線頻率為4MHz、總線電壓為3.3V時,采用16bit總線和采用8bit總線之間存在3. 7mW的功耗差異[4~6]。
然而,對于需要大量頻繁地存取數(shù)據(jù)的場合,采用8bit總線也不見得會降低功耗,因為頻繁地存取數(shù)據(jù),增加了讀寫周期,也同樣需要消耗功率。
與采用外置Flash相比,采用內(nèi)置Flash的微處理器可以大大降低系統(tǒng)的功率消耗。在稃儲容量需求較小的條件下,采用FRAM代替一般的Flash或E2 PROM,將會節(jié)省很多電能,因為FRAM的寫入功耗是Flash和E2PROM。
如果考慮數(shù)據(jù)傳輸速度,微處理器的總線寬度越寬越好。而對于一個對功耗敏感的低功耗系統(tǒng)來說,如何選擇微處理器的總線寬度就需要仔細考慮了。
SLC7649
根對于總線上的每一條線,都會存在這樣的功率消耗。顯而易見,當總線寬度越寬(數(shù)量越多)時,功耗自然越大?偩的每一條線上的容性負載可能不一樣,但一般都在4—12pF之間。如表1.1所示,一片lMb Flash通過8bit和16bit的總線與微處理器相連,在總線頻率為4MHz、總線電壓為3.3V時,采用16bit總線和采用8bit總線之間存在3. 7mW的功耗差異[4~6]。
然而,對于需要大量頻繁地存取數(shù)據(jù)的場合,采用8bit總線也不見得會降低功耗,因為頻繁地存取數(shù)據(jù),增加了讀寫周期,也同樣需要消耗功率。
與采用外置Flash相比,采用內(nèi)置Flash的微處理器可以大大降低系統(tǒng)的功率消耗。在稃儲容量需求較小的條件下,采用FRAM代替一般的Flash或E2 PROM,將會節(jié)省很多電能,因為FRAM的寫入功耗是Flash和E2PROM。
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