休眠模式的使用
發(fā)布時(shí)間:2012/2/19 18:04:50 訪問(wèn)次數(shù):2270
休眠模式是最常用且最靈活的模式。通常，喚醒時(shí)間非常短，需要的開(kāi)銷(xiāo)極小，甚至不需要開(kāi)銷(xiāo)即可進(jìn)入和退出此模式。因此，對(duì)于需要短休眠時(shí)間和快速喚醒及處理的應(yīng)用而言，這是最佳低功耗模式。休眠通常用于具有以下特性的應(yīng)用：
·循環(huán)時(shí)間短，需要頻繁喚醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外設(shè)喚醒源；
·休眠時(shí)使用ADC或比較器執(zhí)行模擬采樣。
在深度休眠模式下，不會(huì)對(duì)CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外設(shè)供電。此外，深度休眠還會(huì)關(guān)閉閃存、SRAM和電壓監(jiān)視電路的電源。這讓深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多數(shù)器件上，典型的深度休眠電流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中會(huì)保存4字節(jié)的數(shù)據(jù)，用于保存應(yīng)用所需的一些關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
處于深度休眠模式時(shí)，I/O引腳和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的狀態(tài)會(huì)保持不變，所以深度休眠模式不會(huì)中斷應(yīng)用操作。RTCC中斷、超低功率喚醒、DSWDT超時(shí)、外部中斷0（INTO）、MCLR或POR可以將器件從深度休眠中喚醒。在喚醒時(shí)，器件會(huì)從復(fù)位向量處開(kāi)始繼續(xù)工作。通過(guò)深度休眠模式，器件可以實(shí)現(xiàn)可能達(dá)到的最低靜戀功耗。其代價(jià)是在喚醒之后固件必須重新初始化。因此，深度休眠最適合需要很長(zhǎng)電池壽命和具有很好休眠時(shí)間的應(yīng)用。
關(guān)于深度休眠和如何使用它的更多信息，請(qǐng)參見(jiàn)器件數(shù)據(jù)手冊(cè)和器件系列參考手冊(cè)。
·循環(huán)時(shí)間短，需要頻繁喚醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外設(shè)喚醒源；
·休眠時(shí)使用ADC或比較器執(zhí)行模擬采樣。
在深度休眠模式下，不會(huì)對(duì)CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外設(shè)供電。此外，深度休眠還會(huì)關(guān)閉閃存、SRAM和電壓監(jiān)視電路的電源。這讓深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多數(shù)器件上，典型的深度休眠電流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中會(huì)保存4字節(jié)的數(shù)據(jù)，用于保存應(yīng)用所需的一些關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
處于深度休眠模式時(shí)，I/O引腳和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的狀態(tài)會(huì)保持不變，所以深度休眠模式不會(huì)中斷應(yīng)用操作。RTCC中斷、超低功率喚醒、DSWDT超時(shí)、外部中斷0（INTO）、MCLR或POR可以將器件從深度休眠中喚醒。在喚醒時(shí)，器件會(huì)從復(fù)位向量處開(kāi)始繼續(xù)工作。通過(guò)深度休眠模式，器件可以實(shí)現(xiàn)可能達(dá)到的最低靜戀功耗。其代價(jià)是在喚醒之后固件必須重新初始化。因此，深度休眠最適合需要很長(zhǎng)電池壽命和具有很好休眠時(shí)間的應(yīng)用。
關(guān)于深度休眠和如何使用它的更多信息，請(qǐng)參見(jiàn)器件數(shù)據(jù)手冊(cè)和器件系列參考手冊(cè)。
休眠模式是最常用且最靈活的模式。通常，喚醒時(shí)間非常短，需要的開(kāi)銷(xiāo)極小，甚至不需要開(kāi)銷(xiāo)即可進(jìn)入和退出此模式。因此，對(duì)于需要短休眠時(shí)間和快速喚醒及處理的應(yīng)用而言，這是最佳低功耗模式。休眠通常用于具有以下特性的應(yīng)用：
·循環(huán)時(shí)間短，需要頻繁喚醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外設(shè)喚醒源；
·休眠時(shí)使用ADC或比較器執(zhí)行模擬采樣。
在深度休眠模式下，不會(huì)對(duì)CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外設(shè)供電。此外，深度休眠還會(huì)關(guān)閉閃存、SRAM和電壓監(jiān)視電路的電源。這讓深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多數(shù)器件上，典型的深度休眠電流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中會(huì)保存4字節(jié)的數(shù)據(jù)，用于保存應(yīng)用所需的一些關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
處于深度休眠模式時(shí)，I/O引腳和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的狀態(tài)會(huì)保持不變，所以深度休眠模式不會(huì)中斷應(yīng)用操作。RTCC中斷、超低功率喚醒、DSWDT超時(shí)、外部中斷0（INTO）、MCLR或POR可以將器件從深度休眠中喚醒。在喚醒時(shí)，器件會(huì)從復(fù)位向量處開(kāi)始繼續(xù)工作。通過(guò)深度休眠模式，器件可以實(shí)現(xiàn)可能達(dá)到的最低靜戀功耗。其代價(jià)是在喚醒之后固件必須重新初始化。因此，深度休眠最適合需要很長(zhǎng)電池壽命和具有很好休眠時(shí)間的應(yīng)用。
關(guān)于深度休眠和如何使用它的更多信息，請(qǐng)參見(jiàn)器件數(shù)據(jù)手冊(cè)和器件系列參考手冊(cè)。
·循環(huán)時(shí)間短，需要頻繁喚醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外設(shè)喚醒源；
·休眠時(shí)使用ADC或比較器執(zhí)行模擬采樣。
在深度休眠模式下，不會(huì)對(duì)CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外設(shè)供電。此外，深度休眠還會(huì)關(guān)閉閃存、SRAM和電壓監(jiān)視電路的電源。這讓深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多數(shù)器件上，典型的深度休眠電流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中會(huì)保存4字節(jié)的數(shù)據(jù)，用于保存應(yīng)用所需的一些關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
處于深度休眠模式時(shí)，I/O引腳和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的狀態(tài)會(huì)保持不變，所以深度休眠模式不會(huì)中斷應(yīng)用操作。RTCC中斷、超低功率喚醒、DSWDT超時(shí)、外部中斷0（INTO）、MCLR或POR可以將器件從深度休眠中喚醒。在喚醒時(shí)，器件會(huì)從復(fù)位向量處開(kāi)始繼續(xù)工作。通過(guò)深度休眠模式，器件可以實(shí)現(xiàn)可能達(dá)到的最低靜戀功耗。其代價(jià)是在喚醒之后固件必須重新初始化。因此，深度休眠最適合需要很長(zhǎng)電池壽命和具有很好休眠時(shí)間的應(yīng)用。
關(guān)于深度休眠和如何使用它的更多信息，請(qǐng)參見(jiàn)器件數(shù)據(jù)手冊(cè)和器件系列參考手冊(cè)。
上一篇：深度休眠模式的應(yīng)用
上一篇：休眠模式和深度休眠模式的選擇
相關(guān)技術(shù)資料- 2-19休眠模式的使用
- 相關(guān)IC型號(hào)
- A44L-0001-0165150B
- 暫無(wú)最新型號(hào)
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 三極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)
- 靜態(tài)功耗
- 基本RS觸發(fā)器
- 靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定
- 三極管的類(lèi)型
- 休眠模式的使用
- 時(shí)序邏輯電路的設(shè)計(jì)
- 設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)任務(wù)的實(shí)驗(yàn)步驟
- 直流穩(wěn)壓電源
- 模擬輸入
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
