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運行模式下測量固件描述

發(fā)布時間:2012/2/20 20:52:29 訪問次數(shù):668

    MCU在運行模式下的功耗與多個因素有關(guān),這些因素往往與應(yīng)用程序關(guān)系密切更甚于運行模式本身。因此,很難給出功耗的典型值。例如,運行模式下的功耗與執(zhí)行的代碼和代碼的位置有關(guān)(后者造成的功耗差異是由流水線和預(yù)取指緩存引起的)。BCM3250KPB   
    在運行模式下,代碼從閃存和RAM執(zhí)行的功耗情況不同。注意,代碼首先對MCU進行設(shè)置( GPIO,PCG……),然后進入一個無限循環(huán),執(zhí)行一系列不同指令100次。這么做是為了充分利用預(yù)取指緩存。從閃存和RAM里執(zhí)行的代碼是相同的。
    低功耗模式下測量固件描述
    代碼首先對MCU進行設(shè)置(GPIO、PCG、閃存模式、低功耗模式下使用的穩(wěn)壓器),然后執(zhí)行進入低功耗模式的指令,這樣微控制器就切換進入相應(yīng)的低功耗模式。在MCU確實進入低功耗模式之后,測量功耗。
    有關(guān)固件設(shè)置階段的細節(jié),請登錄ST網(wǎng)站下載示例程序包,下載地址為:http://
www.st.com/stonline/products/suppoIt/micro/files/an2857.2.10.該文件包含了相關(guān)的源代碼。
    MCU在運行模式下的功耗與多個因素有關(guān),這些因素往往與應(yīng)用程序關(guān)系密切更甚于運行模式本身。因此,很難給出功耗的典型值。例如,運行模式下的功耗與執(zhí)行的代碼和代碼的位置有關(guān)(后者造成的功耗差異是由流水線和預(yù)取指緩存引起的)。BCM3250KPB   
    在運行模式下,代碼從閃存和RAM執(zhí)行的功耗情況不同。注意,代碼首先對MCU進行設(shè)置( GPIO,PCG……),然后進入一個無限循環(huán),執(zhí)行一系列不同指令100次。這么做是為了充分利用預(yù)取指緩存。從閃存和RAM里執(zhí)行的代碼是相同的。
    低功耗模式下測量固件描述
    代碼首先對MCU進行設(shè)置(GPIO、PCG、閃存模式、低功耗模式下使用的穩(wěn)壓器),然后執(zhí)行進入低功耗模式的指令,這樣微控制器就切換進入相應(yīng)的低功耗模式。在MCU確實進入低功耗模式之后,測量功耗。
    有關(guān)固件設(shè)置階段的細節(jié),請登錄ST網(wǎng)站下載示例程序包,下載地址為:http://
www.st.com/stonline/products/suppoIt/micro/files/an2857.2.10.該文件包含了相關(guān)的源代碼。
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2-20運行模式下測量固件描述

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