代碼從FLASH執(zhí)行的運行模式下的功耗見表2.10。代碼從RAM執(zhí)行的運行模式下的功耗見表2. 11。BT869KRF  

從表2. 10和2.11可見：
·功耗隨著時鐘頻率的增加而增加。
·在代碼從RAM執(zhí)行時，其代碼的執(zhí)行時間比從閃存執(zhí)行相同代碼要長。
·在使用內(nèi)部時鐘時，功耗與電源電壓無關(guān)，這是因為內(nèi)部RC振蕩器是由內(nèi)部的1.8V穩(wěn)壓器供電的。
·表2. 10和表2.11沒有體現(xiàn)出代碼位于存儲器不同位置的不同功耗。但是，如果循環(huán)代碼的大小小于一個存儲器塊的大小，把循環(huán)代碼放置在一個存儲器塊中可以降低功耗。因為這時只激活了一個存儲器塊。
·表2. 10和表2.11沒有體現(xiàn)出執(zhí)行不同代碼的不同功耗。但是，運行模式下的功耗和執(zhí)行的指令與指令的操作數(shù)有關(guān)。功耗相對低的指令有INC A和NOP等。功耗相對高的指令有LD（從閃存）和ADD A，#$01等。
·外晶振的功耗大致為：SV，0.6mA;3.3V，0.3mA。