片內(nèi)外設(shè)控制
發(fā)布時間:2012/2/21 19:55:40 訪問次數(shù):868
系統(tǒng)設(shè)計中不是所有外設(shè)都能用到,而系統(tǒng)具體運行過程中,有些外設(shè)也不需要一直工作。所以,在適當(dāng)?shù)臅r候可以通過禁用不使用的外設(shè)來降低系統(tǒng)的功耗。Blackfin處理器ADSP - BF535有專門的外設(shè)時鐘寄存器(PLL_IOCK),可以統(tǒng)一控制所有外設(shè)的時鐘,要禁用某外設(shè)只需要將PLL—IOCK中對應(yīng)位置0即可。CP267P902A1
Blackfin處理器ADSP - BF531 /BF532 /BF533沒有這種統(tǒng)一的時鐘控制寄存器,只能通過每個外設(shè)的控制寄存器來使能或禁用外設(shè)。
內(nèi)核電壓控制
Blackfin處理器可以通過片內(nèi)的調(diào)壓器可以將外部的2.2~3.6V的供電電壓轉(zhuǎn)換成0. 85~1.2V電壓,為內(nèi)核供電。由于功耗與電壓的平方成正比,降低內(nèi)核電壓可以有效降低系統(tǒng)功耗。片內(nèi)的調(diào)壓器需要搭配一定的外部電路才能實現(xiàn)其調(diào)壓功能,外部電壓調(diào)節(jié)電路如圖2. 32所示。
DDEXT為I/O供電電壓,VDD INT為內(nèi)核供電電壓,VROL.T為外部FET/BJT驅(qū)動,用于控制開關(guān)頻率。通過調(diào)壓器控制寄存器( VR_CTL)的VLEV(4~7位)來設(shè)置內(nèi)核電壓值,VLEV與電壓值的對應(yīng)關(guān)系見表2.20。修改VR _CTL的VLEV值可將內(nèi)核電壓控制在0.8~1. 2V,也可以將內(nèi)核供電完全關(guān)閉,即將VR_CTL中的FREQ(0~1位)設(shè)置為00,此時內(nèi)核時鐘和系統(tǒng)時鐘都會停止工作,而內(nèi)核電壓為0。修改內(nèi)核工作電壓的程序段需要放在對PLL _CTL設(shè)置程序之后執(zhí)行。
系統(tǒng)設(shè)計中不是所有外設(shè)都能用到,而系統(tǒng)具體運行過程中,有些外設(shè)也不需要一直工作。所以,在適當(dāng)?shù)臅r候可以通過禁用不使用的外設(shè)來降低系統(tǒng)的功耗。Blackfin處理器ADSP - BF535有專門的外設(shè)時鐘寄存器(PLL_IOCK),可以統(tǒng)一控制所有外設(shè)的時鐘,要禁用某外設(shè)只需要將PLL—IOCK中對應(yīng)位置0即可。CP267P902A1
Blackfin處理器ADSP - BF531 /BF532 /BF533沒有這種統(tǒng)一的時鐘控制寄存器,只能通過每個外設(shè)的控制寄存器來使能或禁用外設(shè)。
內(nèi)核電壓控制
Blackfin處理器可以通過片內(nèi)的調(diào)壓器可以將外部的2.2~3.6V的供電電壓轉(zhuǎn)換成0. 85~1.2V電壓,為內(nèi)核供電。由于功耗與電壓的平方成正比,降低內(nèi)核電壓可以有效降低系統(tǒng)功耗。片內(nèi)的調(diào)壓器需要搭配一定的外部電路才能實現(xiàn)其調(diào)壓功能,外部電壓調(diào)節(jié)電路如圖2. 32所示。
DDEXT為I/O供電電壓,VDD INT為內(nèi)核供電電壓,VROL.T為外部FET/BJT驅(qū)動,用于控制開關(guān)頻率。通過調(diào)壓器控制寄存器( VR_CTL)的VLEV(4~7位)來設(shè)置內(nèi)核電壓值,VLEV與電壓值的對應(yīng)關(guān)系見表2.20。修改VR _CTL的VLEV值可將內(nèi)核電壓控制在0.8~1. 2V,也可以將內(nèi)核供電完全關(guān)閉,即將VR_CTL中的FREQ(0~1位)設(shè)置為00,此時內(nèi)核時鐘和系統(tǒng)時鐘都會停止工作,而內(nèi)核電壓為0。修改內(nèi)核工作電壓的程序段需要放在對PLL _CTL設(shè)置程序之后執(zhí)行。
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