在模擬集成電路中，有時(shí)需M3406要耐高壓，所以要正確設(shè)計(jì)各元件的耐壓能力。對(duì)雙極IC，要求BⅥb。和BK。。滿足耐壓要求，而BK：E。和BKb。主要取決于外延層的厚度、電阻率、結(jié)深。圖2. 14給出了PN結(jié)摻雜濃度、結(jié)深與擊穿電壓的關(guān)系。MOSIC可采用LD MOS、IGT、LIGBT等結(jié)構(gòu)。

    電流容量是元件可靠性設(shè)計(jì)的一個(gè)基本內(nèi)容。對(duì)于要求工作在線性區(qū)的雙極NPN管，一般單位發(fā)射結(jié)長(zhǎng)度上耐流口為0.04～0.1 6mA／rum，而對(duì)于邏輯電路，口可取0.1～0.4；對(duì)于橫向PNP管，d僅有0.001～0. 008mAlUm。流過(guò)電阻上的電流過(guò)大會(huì)使電阻條燒斷，或使其性能下降。