表2.5給出了以上ESD模型的參數(shù)。ESD保護(hù)性能SS8550是通過傳導(dǎo)應(yīng)力實(shí)驗(yàn)進(jìn)行測(cè)試的。利用ESD掃描應(yīng)力測(cè)試儀，使用以上的ESD測(cè)試模型，IC芯片在大范圍內(nèi)進(jìn)行步進(jìn)式應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，直到出現(xiàn)損壞為止。以上所有的測(cè)試模式都是破壞性的，所以對(duì)失效機(jī)理和優(yōu)化ESD設(shè)計(jì)并不能提供足夠的數(shù)據(jù)。

    TLP模型
    傳輸線脈沖(Transmission Line Pulse，TLP)模型與以上四種模型不同，通過改變加在IC管腳上方波的高度、周期和上升時(shí)間，可以得到更多有用的信息。TLP測(cè)試可以繪出在ESD應(yīng)力下DUT的連續(xù)FV曲線，對(duì)研究ESD失效機(jī)理提供足夠的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。TLP模型電路。圖中傳輸線預(yù)充電，然后通過DUT泄放，以模擬ESD應(yīng)力情況，即一個(gè)典型的TLP ESD模型電路，采用可變高度的短方波作為IC的應(yīng)力。TCL模型可以傳導(dǎo)ESD模擬結(jié)果，并預(yù)測(cè)ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)能力。