雙極晶體管(BJT)
發(fā)布時(shí)間:2012/4/25 19:54:32 訪問(wèn)次數(shù):1817
雙極晶體管類型和品種很多，根據(jù)PN結(jié)的CY8C20346A-24LQXI形成方式不同可分為點(diǎn)接觸型晶體管和面接觸型晶體管；根據(jù)制作工藝的不同可分為合金管、合金擴(kuò)散管、臺(tái)面管及平面管；而根據(jù)功能與用途的不同來(lái)分其種類更多，如低頻管、高頻管、微波管、功率管、開(kāi)關(guān)管和低噪聲管等。目前應(yīng)用最多的是硅平面晶體管，它也是構(gòu)成硅雙極集成電路的基本單元器件。
無(wú)論雙極晶體管種類多么繁多，就其基本結(jié)構(gòu)而言，其管芯都是由兩個(gè)背對(duì)背且相距極近的PN結(jié)所構(gòu)成。將這兩個(gè)PN結(jié)分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。兩個(gè)PN結(jié)將管子分為3個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)主要作用是發(fā)射載流子（電子或空穴）；基區(qū)是基本工作區(qū)，其功能是對(duì)載流子進(jìn)行輸運(yùn)與控制；集電區(qū)的作用是收集載流子。
雙極晶體管的基本功能是在電路中對(duì)電流、電壓或功率縣有放大和開(kāi)關(guān)作用。在實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的應(yīng)用中，BJT輸入的通常是交流小信號(hào)，即信號(hào)電壓幅度遠(yuǎn)小于熱電勢(shì)kT/q，室溫下約為26mV，比直流偏置電壓小得多，相應(yīng)的交流電流也會(huì)比直流偏置下的電流小得多；這時(shí)BJT工作在正向有源區(qū)，作為線性放大，輸入信號(hào)電流、輸出信號(hào)電流、輸入信號(hào)電壓及輸出信號(hào)電壓之間可近似為線性變化關(guān)系；隨著信號(hào)頻率升高，BJT內(nèi)各種電容效應(yīng)的影響使電流增益迅速下降，從而對(duì)使用頻率提出限制。如果管子在截止和飽和（或放大）態(tài)之間快速轉(zhuǎn)換，則起到電子開(kāi)關(guān)的作用。開(kāi)關(guān)過(guò)程是大信號(hào)的瞬變過(guò)程，開(kāi)關(guān)要求晶體管具有更快的速度即更短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。影響開(kāi)關(guān)速度的內(nèi)因是晶體管的結(jié)構(gòu)、材料的性質(zhì)，包括基區(qū)、集電區(qū)電荷的積累及泄失，勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容的充、放電，超量?jī)?chǔ)存電荷的積累及泄放，載流子的復(fù)合等；外因是外電路的驅(qū)動(dòng)和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
無(wú)論雙極晶體管種類多么繁多，就其基本結(jié)構(gòu)而言，其管芯都是由兩個(gè)背對(duì)背且相距極近的PN結(jié)所構(gòu)成。將這兩個(gè)PN結(jié)分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。兩個(gè)PN結(jié)將管子分為3個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)主要作用是發(fā)射載流子（電子或空穴）；基區(qū)是基本工作區(qū)，其功能是對(duì)載流子進(jìn)行輸運(yùn)與控制；集電區(qū)的作用是收集載流子。
雙極晶體管的基本功能是在電路中對(duì)電流、電壓或功率縣有放大和開(kāi)關(guān)作用。在實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的應(yīng)用中，BJT輸入的通常是交流小信號(hào)，即信號(hào)電壓幅度遠(yuǎn)小于熱電勢(shì)kT/q，室溫下約為26mV，比直流偏置電壓小得多，相應(yīng)的交流電流也會(huì)比直流偏置下的電流小得多；這時(shí)BJT工作在正向有源區(qū)，作為線性放大，輸入信號(hào)電流、輸出信號(hào)電流、輸入信號(hào)電壓及輸出信號(hào)電壓之間可近似為線性變化關(guān)系；隨著信號(hào)頻率升高，BJT內(nèi)各種電容效應(yīng)的影響使電流增益迅速下降，從而對(duì)使用頻率提出限制。如果管子在截止和飽和（或放大）態(tài)之間快速轉(zhuǎn)換，則起到電子開(kāi)關(guān)的作用。開(kāi)關(guān)過(guò)程是大信號(hào)的瞬變過(guò)程，開(kāi)關(guān)要求晶體管具有更快的速度即更短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。影響開(kāi)關(guān)速度的內(nèi)因是晶體管的結(jié)構(gòu)、材料的性質(zhì)，包括基區(qū)、集電區(qū)電荷的積累及泄失，勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容的充、放電，超量?jī)?chǔ)存電荷的積累及泄放，載流子的復(fù)合等；外因是外電路的驅(qū)動(dòng)和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
雙極晶體管類型和品種很多，根據(jù)PN結(jié)的CY8C20346A-24LQXI形成方式不同可分為點(diǎn)接觸型晶體管和面接觸型晶體管；根據(jù)制作工藝的不同可分為合金管、合金擴(kuò)散管、臺(tái)面管及平面管；而根據(jù)功能與用途的不同來(lái)分其種類更多，如低頻管、高頻管、微波管、功率管、開(kāi)關(guān)管和低噪聲管等。目前應(yīng)用最多的是硅平面晶體管，它也是構(gòu)成硅雙極集成電路的基本單元器件。
無(wú)論雙極晶體管種類多么繁多，就其基本結(jié)構(gòu)而言，其管芯都是由兩個(gè)背對(duì)背且相距極近的PN結(jié)所構(gòu)成。將這兩個(gè)PN結(jié)分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。兩個(gè)PN結(jié)將管子分為3個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)主要作用是發(fā)射載流子（電子或空穴）；基區(qū)是基本工作區(qū)，其功能是對(duì)載流子進(jìn)行輸運(yùn)與控制；集電區(qū)的作用是收集載流子。
雙極晶體管的基本功能是在電路中對(duì)電流、電壓或功率縣有放大和開(kāi)關(guān)作用。在實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的應(yīng)用中，BJT輸入的通常是交流小信號(hào)，即信號(hào)電壓幅度遠(yuǎn)小于熱電勢(shì)kT/q，室溫下約為26mV，比直流偏置電壓小得多，相應(yīng)的交流電流也會(huì)比直流偏置下的電流小得多；這時(shí)BJT工作在正向有源區(qū)，作為線性放大，輸入信號(hào)電流、輸出信號(hào)電流、輸入信號(hào)電壓及輸出信號(hào)電壓之間可近似為線性變化關(guān)系；隨著信號(hào)頻率升高，BJT內(nèi)各種電容效應(yīng)的影響使電流增益迅速下降，從而對(duì)使用頻率提出限制。如果管子在截止和飽和（或放大）態(tài)之間快速轉(zhuǎn)換，則起到電子開(kāi)關(guān)的作用。開(kāi)關(guān)過(guò)程是大信號(hào)的瞬變過(guò)程，開(kāi)關(guān)要求晶體管具有更快的速度即更短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。影響開(kāi)關(guān)速度的內(nèi)因是晶體管的結(jié)構(gòu)、材料的性質(zhì)，包括基區(qū)、集電區(qū)電荷的積累及泄失，勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容的充、放電，超量?jī)?chǔ)存電荷的積累及泄放，載流子的復(fù)合等；外因是外電路的驅(qū)動(dòng)和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
無(wú)論雙極晶體管種類多么繁多，就其基本結(jié)構(gòu)而言，其管芯都是由兩個(gè)背對(duì)背且相距極近的PN結(jié)所構(gòu)成。將這兩個(gè)PN結(jié)分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。兩個(gè)PN結(jié)將管子分為3個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)主要作用是發(fā)射載流子（電子或空穴）；基區(qū)是基本工作區(qū)，其功能是對(duì)載流子進(jìn)行輸運(yùn)與控制；集電區(qū)的作用是收集載流子。
雙極晶體管的基本功能是在電路中對(duì)電流、電壓或功率縣有放大和開(kāi)關(guān)作用。在實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的應(yīng)用中，BJT輸入的通常是交流小信號(hào)，即信號(hào)電壓幅度遠(yuǎn)小于熱電勢(shì)kT/q，室溫下約為26mV，比直流偏置電壓小得多，相應(yīng)的交流電流也會(huì)比直流偏置下的電流小得多；這時(shí)BJT工作在正向有源區(qū)，作為線性放大，輸入信號(hào)電流、輸出信號(hào)電流、輸入信號(hào)電壓及輸出信號(hào)電壓之間可近似為線性變化關(guān)系；隨著信號(hào)頻率升高，BJT內(nèi)各種電容效應(yīng)的影響使電流增益迅速下降，從而對(duì)使用頻率提出限制。如果管子在截止和飽和（或放大）態(tài)之間快速轉(zhuǎn)換，則起到電子開(kāi)關(guān)的作用。開(kāi)關(guān)過(guò)程是大信號(hào)的瞬變過(guò)程，開(kāi)關(guān)要求晶體管具有更快的速度即更短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。影響開(kāi)關(guān)速度的內(nèi)因是晶體管的結(jié)構(gòu)、材料的性質(zhì)，包括基區(qū)、集電區(qū)電荷的積累及泄失，勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容的充、放電，超量?jī)?chǔ)存電荷的積累及泄放，載流子的復(fù)合等；外因是外電路的驅(qū)動(dòng)和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
上一篇：半導(dǎo)體二極管
相關(guān)技術(shù)資料- 4-25雙極晶體管(BJT)
熱門點(diǎn)擊
- Smart dust
- 雙極晶體管(BJT)
- 電子元器件的主要失效模式或機(jī)理分布
- 短消息收發(fā)方式
- 在電子整機(jī)系統(tǒng)中的作用
- SOS的通信機(jī)制
- IEC模型
- 微型化與可穿戴策略
- ESD應(yīng)力掃描
- 無(wú)線醫(yī)療傳感節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
推薦技術(shù)資料
- 基準(zhǔn)電壓的提供
- 開(kāi)始的時(shí)候，想使用LM385作為基準(zhǔn)，HIN202EC... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
