為了保護IC芯片，在每一個I/O PAD或VDD PAD處，廣泛采用單～的器件2N60或子電路作為在片ESD保護單元。ESD保護的原理是兩重性的，即提供一個低阻的泄放通道分流ESD電流，同時將管腳電壓鉗位在一個安全的電平，以預(yù)防介質(zhì)擊穿。圖2. 24給出了兩種典型的ESD卜V特性，即簡單的開啟和I-V Snapback。由于I-V Snapback特性具有較高的電流處理能力，所以更具有吸引力。一個成功的ESD保護設(shè)計必須適當(dāng)定義這些邊界參數(shù)，如觸發(fā)點（Vtl和Itl），snapback保持點(砜和Ih)和熱擊穿點(Vt2和It2)等。下面討論典型的單ESD保護器件的保護原理。