引線鍵合失效也是混合電路失效的主要原因之一。引線鍵合CY7C1049DV33-10ZSXI是一種金屬與金屬間的鍵合，連接機理有三種：金屬一金屬間的粘附鍵合、金屬間化合物互擴散鍵合、金屬間熔融“釬焊”鍵合，引線鍵合往往是這三種鍵合機理共同作用的結(jié)果。混合集成電路中使用最多的是熱超聲鍵合（T/S，又稱金絲球焊）和超聲鍵合(U/S)。
    在設(shè)計引線鍵合時應充分考慮鍵合線的熔斷電流、電遷移限制電流和最大（安全）工作電流。最大工作電流是指考慮了鍵合線制造容差、鍵合工藝容差、使用環(huán)境和其他安全余雖后給出的安全使用的最大電流，金絲和硅一鋁絲的最大工作電流都遠遠小于它們各自的熔斷電流，通常只有各自熔斷電流的1／3～1／4。電遷移限制電流是指鍵合線在電流作用下發(fā)生電遷移時電流。對于高可靠適用場合，必須進行最大安全工作電流設(shè)計，以保證在最壞情況下也可以可靠安全工作。進行最大工作電流設(shè)計時，應首先確定限制最大工作電流的是熔斷電流還是電遷移限制電流。然后再考慮鍵合線制造容差、鍵合工藝容差、最壞使用環(huán)境和其他安全余量。
    判斷鍵合好壞通常包括形貌檢查和鍵合強度兩方面。
    鍵合失效的失效模式細分起來有多種，以芯片引線鍵合為例，可以分為五種：
    ①模式A:芯片上引線鍵合處斷裂或分離。
    ②模式B：芯片上鍵合引線頸縮處斷裂。
    ③模式C:鍵合引線中間斷裂。
    ④模式D:非芯片位置（金屬化、外殼鍵合區(qū)）鍵合引線頸縮處斷裂。
    ⑤模式E:非芯片位置（金屬化、外殼鍵合區(qū)）鍵合引線處斷裂或分離。

    弄清楚失效位置對于查找、判斷失效原因，提出和采取糾正措施具有重要作用。
    在這些失效模式中，影響鍵合強度的因素很多，但主要可從鍵合界面狀態(tài)和鍵合工藝參數(shù)兩大方面人手。鍵合界面狀態(tài)包括鍵合絲和鍵合區(qū)的潔凈程度、是否“新鮮”；鍵合體系是否合理，金一鋁鍵合系統(tǒng)在200℃以下是可靠的，但仍應注意避免長期高溫處理，以減輕柯肯德爾效應。鍵合工藝參數(shù)的調(diào)整要考慮設(shè)備、人員、鍵合線材料、鍵合產(chǎn)品等各種因素。