場效應(yīng)晶體管包括PN結(jié)型場CY8C20436A-24LQXI效應(yīng)管(JFET)、金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MES-FET)及金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)等。與雙極晶體管相比，F(xiàn)ET具有許多不同的特點：
    ①它是一種屯壓控制器件，而BJT是電流控制器件。
    ②它是多子器件，因而無少子擴散引起的散粒噪聲，僅有熱噪聲，故噪聲很低；同時，它是一種單極器件，即只有一種極性的載流子參與工作，而BJT是雙極的。
    ③輸入阻抗高，有利于放大器的直接耦合，且輸入功耗小。
    ④溫度穩(wěn)定性好，具有零或負(fù)的溫度系數(shù)，大電流下工作穩(wěn)定，增益在較高漏電流下為常數(shù)。
    ⑤制造工藝較BJT簡單，有利于提高集成度。
    (1) PN結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)
    JFET是用PN結(jié)作為柵的FET，依靠加在PN結(jié)上的電壓控制從結(jié)到耗盡層的寬度，從而改變溝道寬度、控制流過源和漏之間的電流的半導(dǎo)體器件。JFET的工作特性可以大部分與MESFET的工作特性作同樣考慮，但由于柵極要用PN結(jié)，因而必須考慮PN結(jié)產(chǎn)生的耗盡量延遲程度的不同。一般而言，JFET具有如下特征：
    ①擴散電位可以達到1V以上，具有很大的工作余裕度。
    ②可以外加高的柵電壓，飽和電流可以設(shè)計得更大，得到高的跨導(dǎo)。

    ③由于可以得到高的跨導(dǎo)和高的飽和電流，因而電路內(nèi)的各個節(jié)點的充電時間加快，可以達到高速工作，但功耗趨于增大。
    ④可以用選擇性離子注入擴散形成N溝道和P溝道，適用于構(gòu)成互補型電路。
    ⑤用擴散和離子注入形成結(jié)，不適于微細化加工。外延結(jié)必須采用刻蝕等特殊加工技術(shù)。