極限條件下的可靠性設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2012/4/26 19:56:22 訪問(wèn)次數(shù):1120
極限條件也稱為特殊使用SR3100條件下的工作模式。如：高壓小電流工作模式，低壓強(qiáng)電流工作模式，脈沖功率晶體管在臨近安全工作區(qū)邊界的工作條件下，很容易誘發(fā)正偏二次擊穿，在大電感負(fù)載下很容易觸發(fā)反偏差二次擊穿。靜電放電效應(yīng)對(duì)硅和GaAs、InP微波低噪聲器件、小功率MOSFET的可靠性帶來(lái)極大威脅，它可使雙極器件EB結(jié)燒毀，GaAsFET肖特基勢(shì)壘破壞，MOSFET柵介質(zhì)擊穿等。為提高工作于特殊使用條件下器件的適應(yīng)能力，應(yīng)作相應(yīng)的可靠性設(shè)計(jì)。
長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)
工作于宇航、長(zhǎng)壽命衛(wèi)星、海底電纜、高山無(wú)人值守的微波中繼站等場(chǎng)合的電子裝備，用于維修替換困難，要求用于這些系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件具有高可靠、長(zhǎng)壽命。長(zhǎng)壽命與高可靠具有密切聯(lián)系，但高可靠的器件不一定具有“長(zhǎng)壽命”。因此，
在器件設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)設(shè)法延長(zhǎng)“浴盆曲線”的底部時(shí)間，降低失效率(A)。影響器件長(zhǎng)壽命的因素很多，如芯片上的金屬化系統(tǒng)電遷移效應(yīng)，微波功率器件的峰值結(jié)溫，低頻大功率器件的熱疲勞效應(yīng)，與時(shí)間相關(guān)的MOS器件柵介質(zhì)擊穿效應(yīng)，金屬間界面互擴(kuò)散效應(yīng)（內(nèi)引線鍵合點(diǎn)、芯片焊結(jié)點(diǎn)、多層金屬化界面處）等。這些物理效應(yīng)都會(huì)影響半導(dǎo)體器件的工作壽命或儲(chǔ)存壽命。為此，工作于長(zhǎng)壽命電子系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件必須進(jìn)行高可靠長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)。
長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)
工作于宇航、長(zhǎng)壽命衛(wèi)星、海底電纜、高山無(wú)人值守的微波中繼站等場(chǎng)合的電子裝備，用于維修替換困難，要求用于這些系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件具有高可靠、長(zhǎng)壽命。長(zhǎng)壽命與高可靠具有密切聯(lián)系，但高可靠的器件不一定具有“長(zhǎng)壽命”。因此，
在器件設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)設(shè)法延長(zhǎng)“浴盆曲線”的底部時(shí)間，降低失效率(A)。影響器件長(zhǎng)壽命的因素很多，如芯片上的金屬化系統(tǒng)電遷移效應(yīng)，微波功率器件的峰值結(jié)溫，低頻大功率器件的熱疲勞效應(yīng)，與時(shí)間相關(guān)的MOS器件柵介質(zhì)擊穿效應(yīng)，金屬間界面互擴(kuò)散效應(yīng)（內(nèi)引線鍵合點(diǎn)、芯片焊結(jié)點(diǎn)、多層金屬化界面處）等。這些物理效應(yīng)都會(huì)影響半導(dǎo)體器件的工作壽命或儲(chǔ)存壽命。為此，工作于長(zhǎng)壽命電子系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件必須進(jìn)行高可靠長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)。
極限條件也稱為特殊使用SR3100條件下的工作模式。如：高壓小電流工作模式，低壓強(qiáng)電流工作模式，脈沖功率晶體管在臨近安全工作區(qū)邊界的工作條件下，很容易誘發(fā)正偏二次擊穿，在大電感負(fù)載下很容易觸發(fā)反偏差二次擊穿。靜電放電效應(yīng)對(duì)硅和GaAs、InP微波低噪聲器件、小功率MOSFET的可靠性帶來(lái)極大威脅，它可使雙極器件EB結(jié)燒毀，GaAsFET肖特基勢(shì)壘破壞，MOSFET柵介質(zhì)擊穿等。為提高工作于特殊使用條件下器件的適應(yīng)能力，應(yīng)作相應(yīng)的可靠性設(shè)計(jì)。
長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)
工作于宇航、長(zhǎng)壽命衛(wèi)星、海底電纜、高山無(wú)人值守的微波中繼站等場(chǎng)合的電子裝備，用于維修替換困難，要求用于這些系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件具有高可靠、長(zhǎng)壽命。長(zhǎng)壽命與高可靠具有密切聯(lián)系，但高可靠的器件不一定具有“長(zhǎng)壽命”。因此，
在器件設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)設(shè)法延長(zhǎng)“浴盆曲線”的底部時(shí)間，降低失效率(A)。影響器件長(zhǎng)壽命的因素很多，如芯片上的金屬化系統(tǒng)電遷移效應(yīng)，微波功率器件的峰值結(jié)溫，低頻大功率器件的熱疲勞效應(yīng)，與時(shí)間相關(guān)的MOS器件柵介質(zhì)擊穿效應(yīng)，金屬間界面互擴(kuò)散效應(yīng)（內(nèi)引線鍵合點(diǎn)、芯片焊結(jié)點(diǎn)、多層金屬化界面處）等。這些物理效應(yīng)都會(huì)影響半導(dǎo)體器件的工作壽命或儲(chǔ)存壽命。為此，工作于長(zhǎng)壽命電子系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件必須進(jìn)行高可靠長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)。
長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)
工作于宇航、長(zhǎng)壽命衛(wèi)星、海底電纜、高山無(wú)人值守的微波中繼站等場(chǎng)合的電子裝備，用于維修替換困難，要求用于這些系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件具有高可靠、長(zhǎng)壽命。長(zhǎng)壽命與高可靠具有密切聯(lián)系，但高可靠的器件不一定具有“長(zhǎng)壽命”。因此，
在器件設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)設(shè)法延長(zhǎng)“浴盆曲線”的底部時(shí)間，降低失效率(A)。影響器件長(zhǎng)壽命的因素很多，如芯片上的金屬化系統(tǒng)電遷移效應(yīng)，微波功率器件的峰值結(jié)溫，低頻大功率器件的熱疲勞效應(yīng)，與時(shí)間相關(guān)的MOS器件柵介質(zhì)擊穿效應(yīng)，金屬間界面互擴(kuò)散效應(yīng)（內(nèi)引線鍵合點(diǎn)、芯片焊結(jié)點(diǎn)、多層金屬化界面處）等。這些物理效應(yīng)都會(huì)影響半導(dǎo)體器件的工作壽命或儲(chǔ)存壽命。為此，工作于長(zhǎng)壽命電子系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件必須進(jìn)行高可靠長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)。
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