MOS集成電路主要TL431采用MOS晶體管來(lái)作為有源器件。所謂MOS晶體管是金屬一氧化物一半導(dǎo)體構(gòu)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它是靠半導(dǎo)體表面電場(chǎng)效應(yīng)感生的導(dǎo)電溝道進(jìn)行工作的。工作時(shí)只有一種載流子參加導(dǎo)電，所以稱之為單極晶體管。
    MOS晶體管是單極型電壓控制器件，而雙極晶體管是電流控制器件。
    與雙極型器件相比，MOS晶體管有以下優(yōu)點(diǎn)：
    ①輸入阻抗高。
    ②噪聲小。
    ③抗干擾能力強(qiáng)。
    ④功耗小，僅僅是雙極電路的百分之一到十分之一。
    MOS晶體管的主要缺點(diǎn)是工作速度較低。但由于CMOS電路的出現(xiàn)，大大提高了工作速度。
    在MOS電路中，可用MOS管代替電阻，即用有源負(fù)載代替無(wú)源負(fù)載。根據(jù)MOS晶休管工作模式的不同，MOS電路又分為E/E MOS（有源器件和負(fù)載器件均為增強(qiáng)型）和E/D MOS（有源器件為增強(qiáng)型，負(fù)載器件為耗盡型）。在MOS電路中各元件之間存在天然的隔離，因?yàn)槁﹨^(qū)、源區(qū)和導(dǎo)電溝道與襯底之間都構(gòu)成PN結(jié)，而PN結(jié)處于反偏截止?fàn)顟B(tài)，實(shí)現(xiàn)了自隔離，免去了雙極集成電路的隔離墻，從而提高了集成度。
    根據(jù)MOS管中柵極材料的不同，MOS IC又分為鋁柵（以金屬鋁作柵電極）和硅柵（以多晶硅材料作為柵電極）兩種。
    MOS集成電路早期是用空穴作為導(dǎo)電載流子的PMOS集成電路，由于NMOS管閾值電壓控制問(wèn)題得以解決以及硅柵自對(duì)準(zhǔn)工藝的發(fā)展，使NMOS集成電路得到了迅速發(fā)展，并取代了PMOS集成電路。NMOS電路比PMOS電路在速度上有很大提高，但是NMOS電路有較大的靜態(tài)功耗，限制了集成度的提高。CMOS集成電路（即含有PMOS、NMOS兩種晶體管的互補(bǔ)MOS電路）具有邏輯擺幅大、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，在20世紀(jì)80年代發(fā)展成為VLSI的主流技術(shù)。CMOS集成電路分N阱、P阱和雙阱結(jié)構(gòu)。CMOS電路的特點(diǎn)為：

    ①靜態(tài)功耗低，一般在微瓦數(shù)量級(jí)，比單溝道MOS電路低一個(gè)數(shù)量級(jí)，比雙極型電路要低幾個(gè)數(shù)量級(jí)。
    ②允許電源電壓波動(dòng)范圍大，可達(dá)3—18V。
    ③抗干擾能力強(qiáng)。
    ④工作速度高，接近雙極型TTL電路的工作速度。
    ⑤扇出系數(shù)大，比單溝道MOS大一倍，比TTL大4～5倍。
    ⑥輸出邏輯擺幅大。
    CMOS電路的主要缺點(diǎn)有兩個(gè)，一是工藝比單溝道MOS電路復(fù)雜，技術(shù)要求高；二是集成度比單溝道MOS電路低，但遠(yuǎn)比雙極型集成電路高。