為保證可靠性指標(biāo)要求的實現(xiàn)，在設(shè)計時ULN2803APG要對研制階段提出有關(guān)的可靠性控制要求，特別是對關(guān)鍵原材料的選用和質(zhì)量均勻性、關(guān)鍵工藝的控制、關(guān)鍵設(shè)備的過程能力和檢測手段等提出明確的控制要求。
    1)提出關(guān)鍵原材料的可靠性控制要求
    硅外延片是硅微波脈沖功率晶體管研制中的關(guān)鍵原材料，在硅微波脈沖功率晶體管生產(chǎn)中對硅外延片的要求很高，因硅外延片的因素使得大量芯片報廢，可靠度非常低，其原因是硅微波脈沖功率晶體管的單胞管芯面積很大，任何一點疏忽都會使可靠性下降甚至報廢。因此謾計時對硅外延片的可靠性控制要求應(yīng)貫穿到從進(jìn)料檢驗到生產(chǎn)過程的每一個環(huán)節(jié)。
    2)提出關(guān)鍵工藝的可靠性控制要求
    硅微波脈沖功率晶體管研制中有些工藝是必須工藝，且工藝難度較大又易出現(xiàn)不穩(wěn)定的現(xiàn)象，直接影響產(chǎn)品的可靠性，因此，攻克工藝上的技術(shù)難關(guān)并使之穩(wěn)定是工藝可靠性控制的要點。
    3)提出關(guān)鍵設(shè)備的可靠性控制要求
    生產(chǎn)設(shè)備對可靠性的影響是不可忽視的，必須清楚認(rèn)識到所需設(shè)備，特別是關(guān)鍵設(shè)備必須達(dá)到工藝設(shè)計所需要的能力，否則不能滿足工藝設(shè)計的可靠性要求。例如，原有一臺光刻機(jī)其光刻精度是1弘m，然而要刻1pm及1pm以下的線條對于該光刻機(jī)來說顯然是不能勝任的，雖然曾用某種技術(shù)刻到1pm以下，但伴隨產(chǎn)生了一些其他依然難以解決問題，自從更新設(shè)備后，所有問題都迎刃而解。
    4)提出關(guān)鍵檢測手段控制要求
    由于工藝流程一般很長，及時檢測出各道工序存在的可靠性問題將有助于及時發(fā)現(xiàn)、解決出現(xiàn)的問題，這對于提高可靠性、縮短研制周期有很大幫助。因此，大力加強(qiáng)、完善各種檢測手段和改進(jìn)檢測技術(shù)，特別是一些關(guān)鍵的檢測技術(shù)是可靠性控制的關(guān)鍵一環(huán)。

    其他可靠性控制要求，除了上述方面需要在設(shè)計時提出可靠性控制要求外，還需要對涉及工藝制定的正確性、完整性和嚴(yán)密性、工藝的執(zhí)行情況（包括工藝執(zhí)行人的素質(zhì)）、設(shè)備使用中對工藝的保證程度（有無負(fù)作用等）、環(huán)境的影響（如空氣的
潔凈度，包括人員的影響）、溫度、濕度、振動情況、氣流擾動、設(shè)備內(nèi)部的氣氛污染等提出控制要求。在通常情況下，這一方面的影響往往未能引起足夠的重視，而很多時候往往是這些微小的隱患影響了器件的長期可靠性。