針對主要失效模式開展可靠性設(shè)計
發(fā)布時間:2012/4/26 20:06:57 訪問次數(shù):918
可靠性設(shè)計的重點是消除和LM386-1控制產(chǎn)品的失效模式或機理，因此，在進行新品設(shè)計時應(yīng)收集同類產(chǎn)品的失效信息和影響產(chǎn)品可靠性的因素，并分析主要的失效模式和失效機理，才能針對性地采取設(shè)計措施。
晶格缺陷類型、對可靠性的影響分析和消除措施
(1)晶格缺陷類型和對可靠性的影響分析
晶格缺陷類型主要有：點缺陷、位錯、層錯、旋渦缺陷、外延層中的微缺陷、二次缺陷等。
1)點缺陷
點缺陷有如點陣空位、間隙原子、雜質(zhì)原子等。產(chǎn)生原因主要是：
①單晶生長的冷卻過程中，溫度急劇變化，致使點缺陷呈現(xiàn)過飽和現(xiàn)象。
②單晶、外延摻雜不均勻、擴散摻奈不均勻。
點缺陷對產(chǎn)品可靠性的影響主要是：
①器件擊穿電壓不均勻，部分器件被擊穿。
②fT下降，fT的峰值電流變小。
2)位錯
位錯主要包括單晶生長引入位錯，即原生位錯和器件工藝誘生位錯兩種。對產(chǎn)品可靠性的影響主要是：
①重金屬雜質(zhì)在位錯上的沉積，其沿位錯線擴散系數(shù)比Ⅲ、V族雜質(zhì)的擴散系數(shù)高los—l06倍。當(dāng)位錯線通過P-N結(jié)時，會造成低擊穿或多段擊穿。每次局部雪崩擊穿都發(fā)生高能電子、空穴對的復(fù)合、發(fā)射可見光（淺結(jié)：白光，深結(jié)：紅光）。
②在位錯線上增強擴散可造成E-C穿通。
3)層錯
層錯主要包括外延襯底機械損傷和清洗殘留物造成外延層錯(△)，對產(chǎn)品可靠性的影響主要為增強擴散、低軟擊穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋渦缺陷
直拉或懸浮區(qū)熔法生長的單晶其微缺陷中有旋渦花紋，這種高溫生長的熱缺陷主要是空位，其濃度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它會使遷移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延層中的微缺陷
霧狀點缺陷，密度l06～l07 cm-2（稱霧片），用霧片制作三極管其成品率只有“亮片”的1/3。
晶格缺陷類型、對可靠性的影響分析和消除措施
(1)晶格缺陷類型和對可靠性的影響分析
晶格缺陷類型主要有：點缺陷、位錯、層錯、旋渦缺陷、外延層中的微缺陷、二次缺陷等。
1)點缺陷
點缺陷有如點陣空位、間隙原子、雜質(zhì)原子等。產(chǎn)生原因主要是：
①單晶生長的冷卻過程中，溫度急劇變化，致使點缺陷呈現(xiàn)過飽和現(xiàn)象。
②單晶、外延摻雜不均勻、擴散摻奈不均勻。
點缺陷對產(chǎn)品可靠性的影響主要是：
①器件擊穿電壓不均勻，部分器件被擊穿。
②fT下降，fT的峰值電流變小。
2)位錯
位錯主要包括單晶生長引入位錯，即原生位錯和器件工藝誘生位錯兩種。對產(chǎn)品可靠性的影響主要是：
①重金屬雜質(zhì)在位錯上的沉積，其沿位錯線擴散系數(shù)比Ⅲ、V族雜質(zhì)的擴散系數(shù)高los—l06倍。當(dāng)位錯線通過P-N結(jié)時，會造成低擊穿或多段擊穿。每次局部雪崩擊穿都發(fā)生高能電子、空穴對的復(fù)合、發(fā)射可見光（淺結(jié)：白光，深結(jié)：紅光）。
②在位錯線上增強擴散可造成E-C穿通。
3)層錯
層錯主要包括外延襯底機械損傷和清洗殘留物造成外延層錯(△)，對產(chǎn)品可靠性的影響主要為增強擴散、低軟擊穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋渦缺陷
直拉或懸浮區(qū)熔法生長的單晶其微缺陷中有旋渦花紋，這種高溫生長的熱缺陷主要是空位，其濃度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它會使遷移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延層中的微缺陷
霧狀點缺陷，密度l06～l07 cm-2（稱霧片），用霧片制作三極管其成品率只有“亮片”的1/3。
可靠性設(shè)計的重點是消除和LM386-1控制產(chǎn)品的失效模式或機理，因此，在進行新品設(shè)計時應(yīng)收集同類產(chǎn)品的失效信息和影響產(chǎn)品可靠性的因素，并分析主要的失效模式和失效機理，才能針對性地采取設(shè)計措施。
晶格缺陷類型、對可靠性的影響分析和消除措施
(1)晶格缺陷類型和對可靠性的影響分析
晶格缺陷類型主要有：點缺陷、位錯、層錯、旋渦缺陷、外延層中的微缺陷、二次缺陷等。
1)點缺陷
點缺陷有如點陣空位、間隙原子、雜質(zhì)原子等。產(chǎn)生原因主要是：
①單晶生長的冷卻過程中，溫度急劇變化，致使點缺陷呈現(xiàn)過飽和現(xiàn)象。
②單晶、外延摻雜不均勻、擴散摻奈不均勻。
點缺陷對產(chǎn)品可靠性的影響主要是：
①器件擊穿電壓不均勻，部分器件被擊穿。
②fT下降，fT的峰值電流變小。
2)位錯
位錯主要包括單晶生長引入位錯，即原生位錯和器件工藝誘生位錯兩種。對產(chǎn)品可靠性的影響主要是：
①重金屬雜質(zhì)在位錯上的沉積，其沿位錯線擴散系數(shù)比Ⅲ、V族雜質(zhì)的擴散系數(shù)高los—l06倍。當(dāng)位錯線通過P-N結(jié)時，會造成低擊穿或多段擊穿。每次局部雪崩擊穿都發(fā)生高能電子、空穴對的復(fù)合、發(fā)射可見光（淺結(jié)：白光，深結(jié)：紅光）。
②在位錯線上增強擴散可造成E-C穿通。
3)層錯
層錯主要包括外延襯底機械損傷和清洗殘留物造成外延層錯(△)，對產(chǎn)品可靠性的影響主要為增強擴散、低軟擊穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋渦缺陷
直拉或懸浮區(qū)熔法生長的單晶其微缺陷中有旋渦花紋，這種高溫生長的熱缺陷主要是空位，其濃度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它會使遷移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延層中的微缺陷
霧狀點缺陷，密度l06～l07 cm-2（稱霧片），用霧片制作三極管其成品率只有“亮片”的1/3。
晶格缺陷類型、對可靠性的影響分析和消除措施
(1)晶格缺陷類型和對可靠性的影響分析
晶格缺陷類型主要有：點缺陷、位錯、層錯、旋渦缺陷、外延層中的微缺陷、二次缺陷等。
1)點缺陷
點缺陷有如點陣空位、間隙原子、雜質(zhì)原子等。產(chǎn)生原因主要是：
①單晶生長的冷卻過程中，溫度急劇變化，致使點缺陷呈現(xiàn)過飽和現(xiàn)象。
②單晶、外延摻雜不均勻、擴散摻奈不均勻。
點缺陷對產(chǎn)品可靠性的影響主要是：
①器件擊穿電壓不均勻，部分器件被擊穿。
②fT下降，fT的峰值電流變小。
2)位錯
位錯主要包括單晶生長引入位錯，即原生位錯和器件工藝誘生位錯兩種。對產(chǎn)品可靠性的影響主要是：
①重金屬雜質(zhì)在位錯上的沉積，其沿位錯線擴散系數(shù)比Ⅲ、V族雜質(zhì)的擴散系數(shù)高los—l06倍。當(dāng)位錯線通過P-N結(jié)時，會造成低擊穿或多段擊穿。每次局部雪崩擊穿都發(fā)生高能電子、空穴對的復(fù)合、發(fā)射可見光（淺結(jié)：白光，深結(jié)：紅光）。
②在位錯線上增強擴散可造成E-C穿通。
3)層錯
層錯主要包括外延襯底機械損傷和清洗殘留物造成外延層錯(△)，對產(chǎn)品可靠性的影響主要為增強擴散、低軟擊穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋渦缺陷
直拉或懸浮區(qū)熔法生長的單晶其微缺陷中有旋渦花紋，這種高溫生長的熱缺陷主要是空位，其濃度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它會使遷移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延層中的微缺陷
霧狀點缺陷，密度l06～l07 cm-2（稱霧片），用霧片制作三極管其成品率只有“亮片”的1/3。
上一篇：研制階段的可靠性控制
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