在抗輻射加固電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，首要的任務(wù)是任何合理地選擇半導(dǎo)體分立器件（表4. 37是常用半導(dǎo)體分立器件抗輻射能力的比較），選擇的一般原則是：所選用PCA9698DGG的器件既能實(shí)現(xiàn)線路的電氣性能指標(biāo)，又具有較好的抗輻射潛力。一般來(lái)說(shuō)：
    ①雙極器件抗中子輻射的能力差，最敏感的參數(shù)是電流放大系數(shù)；MOS器件抗電離輻射的能力差，最敏感的參數(shù)是閾值電壓。MOS場(chǎng)效應(yīng)管的抗中子輻射能力比雙極晶體管高1～2個(gè)數(shù)量級(jí)，但它的抗電離輻射能力卻比雙極晶體管低2～3個(gè)數(shù)量級(jí)。
    ②在半導(dǎo)體分立器件中，閘流管、單結(jié)晶體管和太陽(yáng)能電池的抗輻射能力最差，所以應(yīng)該盡可能避免在輻射環(huán)境中使用此類器件。
    ③在二極管中，隧道二極管的抗輻射能力最強(qiáng)，其次為電壓調(diào)整二極管和電壓基準(zhǔn)二極管，普通的整流二極管最差。
    ④在具有不同的參數(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)或管芯材料的雙極晶體管中，大功率晶體管的抗輻射能力優(yōu)于小功率晶體管，高頻晶體管優(yōu)于低頻晶體管，開關(guān)晶體管優(yōu)于放大晶體管，鍺晶體管優(yōu)于硅晶體管，NPN晶體管優(yōu)于PNP晶體管。
    ⑤在不同類型的器件中，半導(dǎo)體二極管的抗輻射能力優(yōu)于晶體管，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力優(yōu)于雙極晶體管，由分立器件構(gòu)成的電路的抗電離輻射能力優(yōu)于實(shí)現(xiàn)相同功能的單片集成電路，數(shù)字集成電路的抗中子輻射能力優(yōu)于模擬集成電路。
    ⑥在相同類型的器件中，工作頻率越高，工作電流越大，開關(guān)時(shí)間越短，或者額定電源電壓越高，則抗輻射能力越強(qiáng)。
    ⑦在采用不同材料或結(jié)構(gòu)的器件中，采用介質(zhì)隔離的集成電路的抗輻射能力優(yōu)于采用pn結(jié)隔離的集成電路，以藍(lán)寶石為襯底的CMOSlSOS電路或者以絕緣體為襯底的CMOS/SOI電路的抗輻射能力優(yōu)于以硅為襯底的CMOS/Si電路，GaAs器件與電路的抗輻射能力優(yōu)于Si器件與電路。
    ⑧在未來(lái)，GaAs器件雙電路和以絕緣體為襯底的CMOS/SOI電路是最有發(fā)展前途的抗輻射器件。