由具有放大功能的半導體分立器XC6203P302PR件組成的電路，在高頻或超高頻工作時，必須防止由于寄生耦合而產(chǎn)生的寄生振蕩。防寄生耦合應根據(jù)具體情況采取必要的措施。
    (1)防電源內(nèi)阻耦合
    電源內(nèi)阻過大，有可能造成半導體分立器件組成的放大電路產(chǎn)生振蕩，防電源內(nèi)阻耦合的實施要點如下：
    ①去耦電容器的容量應根據(jù)電源負載電流交流分量的大小來確定，一般情況下，電路的速度越高，它從電源所取電流的脈沖分量就越大。
    ②去耦電容器的品種應選擇等效串聯(lián)電阻和等效串職電感小的電容器，一般選擇瓷介電容器中的獨石電容器，但需注意其低壓失效的問題。
    ③去耦電容器的安裝位置應盡量靠近半導體分立器件組成的放大電路電源引線，以減小連線電感對去耦效果的影響。
    ④應充分考慮去耦電容量增大帶來的電源啟動過沖電流增大的副作用。因此必須避免不合理地增大去耦電容器的容量，并在必要時采取抑制電源啟動過沖電流的措施，如使電源具有“軟啟動”或采用電感器或電阻器加去耦電容器組成的“T”形濾波器。 

            
    (2)防布線寄生耦合
    造成布線寄生耦合的原因及影響耦合強度的因素如下：
    ①布線電阻自耦合由半導體分立器件組成的放大電路自身的電流在自身的連線電阻上的壓降造成，布線電阻互耦合由其他電路的電流在公共連線電阻上的壓降造成。布線電阻自耦合和互耦合隨連線長度而增加，截面積減少而增強。
    ②布線電容自耦合由半導體分立器件組成的放大電路自身的交變電壓通過自身兩條連線之間的電容造成。布線電容互耦合由其他電路的交變電壓通過各自有關連線之間的耦合造成。布線電容互耦合和自耦合隨各自表面積增大，相互間距離減少以及介質(zhì)常數(shù)增大而增強。
    ③布線電感自耦合由半導體分立器件組成的放大電路自身的交變電流通過自感造成。布線電感互耦合由其他電路的交變電流通過互感形成。布線電感自耦合和互耦合隨有關連線所形成環(huán)的面積增大而增強。
    在半導體分立器件選用時應注意其類型選擇。表4. 35列出二極管類型選擇規(guī)則，表4. 36列出晶體管類型選擇規(guī)則，可供參考。