IDT的二階效應
發(fā)布時間:2012/5/6 14:53:15 訪問次數(shù):608
由于IDT實際上存在著體波效應、聲表面AT25016-3波的衍射、高階響應、聲表面波波導效應、電極的末端效應、聲電再生、電極電阻、直通信號以及基片的端面反射信號等二階效應，無論按哪種模型設計必然都偏離理想特性。因此，反過來需對IDT進行修正以補償各種二階效應。
抑制IDT的二階效應可采取：
①準確分析建立更完善的模型、將衍射效應、末端效應和機電再生、質量負載考慮在模型中，可采用補償設計降低聲表面波上述效應的影響。
②降低換能器的負載阻抗和采用機電耦合系數(shù)低的基片材料，減弱聲電再生效應的影響。采用電極寬度控制單相單向換能器( EWC/SPUDT)，避免過低負載阻抗引起換能器失配，造成器件插入損耗的增大。
③粗糙基片背面發(fā)散激發(fā)的體波、基片背面開槽阻斷體波的傳播路徑，克服IDT的體波效應。
抑制IDT的二階效應可采取：
①準確分析建立更完善的模型、將衍射效應、末端效應和機電再生、質量負載考慮在模型中，可采用補償設計降低聲表面波上述效應的影響。
②降低換能器的負載阻抗和采用機電耦合系數(shù)低的基片材料，減弱聲電再生效應的影響。采用電極寬度控制單相單向換能器( EWC/SPUDT)，避免過低負載阻抗引起換能器失配，造成器件插入損耗的增大。
③粗糙基片背面發(fā)散激發(fā)的體波、基片背面開槽阻斷體波的傳播路徑，克服IDT的體波效應。
由于IDT實際上存在著體波效應、聲表面AT25016-3波的衍射、高階響應、聲表面波波導效應、電極的末端效應、聲電再生、電極電阻、直通信號以及基片的端面反射信號等二階效應，無論按哪種模型設計必然都偏離理想特性。因此，反過來需對IDT進行修正以補償各種二階效應。
抑制IDT的二階效應可采�。�
①準確分析建立更完善的模型、將衍射效應、末端效應和機電再生、質量負載考慮在模型中，可采用補償設計降低聲表面波上述效應的影響。
②降低換能器的負載阻抗和采用機電耦合系數(shù)低的基片材料，減弱聲電再生效應的影響。采用電極寬度控制單相單向換能器( EWC/SPUDT)，避免過低負載阻抗引起換能器失配，造成器件插入損耗的增大。
③粗糙基片背面發(fā)散激發(fā)的體波、基片背面開槽阻斷體波的傳播路徑，克服IDT的體波效應。
抑制IDT的二階效應可采�。�
①準確分析建立更完善的模型、將衍射效應、末端效應和機電再生、質量負載考慮在模型中，可采用補償設計降低聲表面波上述效應的影響。
②降低換能器的負載阻抗和采用機電耦合系數(shù)低的基片材料，減弱聲電再生效應的影響。采用電極寬度控制單相單向換能器( EWC/SPUDT)，避免過低負載阻抗引起換能器失配，造成器件插入損耗的增大。
③粗糙基片背面發(fā)散激發(fā)的體波、基片背面開槽阻斷體波的傳播路徑，克服IDT的體波效應。
相關技術資料- 5-6IDT的二階效應
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