聲表面波器件結(jié)構(gòu)見圖9.9。由圖可見，聲表面WM8786GEDS波器件主要由芯片、外殼構(gòu)成，芯片通過粘接材料與外殼結(jié)為一體，器件是無源的。因此，結(jié)構(gòu)可靠性設(shè)計(jì)應(yīng)圍繞外殼的結(jié)構(gòu)、芯片的粘接、擺放以及鍵合等進(jìn)行。通過結(jié)構(gòu)可靠性設(shè)計(jì)，不僅使器件的外形尺寸、重量滿足合同要求，而且要有足夠的強(qiáng)度，保證器件在機(jī)械環(huán)境應(yīng)力作用下也能穩(wěn)定可靠地工作，提高器件環(huán)境適應(yīng)能力，達(dá)到消除或控制聲表面波器件失效模式的目的。

                     
    1.抗力學(xué)應(yīng)力設(shè)計(jì)
    結(jié)構(gòu)示意圖    力學(xué)應(yīng)力對(duì)聲表面波器件可靠性影響主要是芯片和引線的斷裂、脫落等。在聲表面波器件抗力學(xué)應(yīng)力設(shè)計(jì)中，應(yīng)盡量采用標(biāo)準(zhǔn)外殼封裝結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈兊目煽啃允墙?jīng)過大量試驗(yàn)和現(xiàn)場(chǎng)使用驗(yàn)證的，且由成熟的工藝和設(shè)備來實(shí)現(xiàn)。
    采用非標(biāo)準(zhǔn)外殼封裝結(jié)構(gòu)或采用新的結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)積極借鑒國內(nèi)外新成果，在滿足體積、重量、成本要求的情況下，對(duì)外殼應(yīng)選擇高強(qiáng)度無損材料，金屬表面采用先進(jìn)工藝進(jìn)行強(qiáng)度處理等，加強(qiáng)其強(qiáng)度和剛度；芯片粘貼選擇適當(dāng)?shù)酿そ硬牧虾凸に�，選擇適當(dāng)?shù)臄[放位置，與外殼帽間隔一定距離，同時(shí)便于芯片的鍵合；盡量縮短內(nèi)引線長度，甚奎取消內(nèi)引線。由于當(dāng)器件固有振動(dòng)頻率與使用時(shí)的振動(dòng)頻率相同時(shí)會(huì)發(fā)生共振現(xiàn)象，共振時(shí)設(shè)計(jì)的強(qiáng)度和剛度再高也無濟(jì)于事。因此必須防止器件，尤其是芯片尺寸較大的器件發(fā)生共振。此外，還可采用加強(qiáng)結(jié)合部位強(qiáng)度、減小或消除懸空結(jié)構(gòu)、小型化剛性化等設(shè)計(jì)，使器件的固有頻率遠(yuǎn)離使用時(shí)的振動(dòng)頻率。設(shè)計(jì)時(shí)除根據(jù)要求合理確定設(shè)計(jì)方案外，還應(yīng)通過設(shè)計(jì)環(huán)境模擬試驗(yàn)來驗(yàn)證在研產(chǎn)品的抗力學(xué)能力和暴露設(shè)計(jì)缺陷，以不斷改進(jìn)和完善。
     2.冗余設(shè)計(jì)
     聲表面波器件的局部結(jié)構(gòu)薄弱引起的失效模式可以用冗余設(shè)計(jì)方法進(jìn)行控制。失效模型是串聯(lián)的用并聯(lián)冗余結(jié)構(gòu)控制；失效模型是并聯(lián)的用串聯(lián)冗余結(jié)構(gòu)進(jìn)行控制。例如引線斷裂的失效模式是屬于串聯(lián)型的，故可用并聯(lián)的兩條引線結(jié)構(gòu)來控制。
    雖然，聲表面波器件的內(nèi)引線斷裂失效模式可考慮采用并聯(lián)的兩條引線結(jié)構(gòu)來控制。但實(shí)際應(yīng)用較少，一是因?yàn)槁暠砻娌ㄆ骷酒系逆I合區(qū)所限，二是顧慮斷裂的引線在器件內(nèi)腔可能會(huì)誤搭誤接引起或造成新的失效。