晶體材料控制要求
發(fā)布時(shí)間:2012/5/7 19:33:36 訪問次數(shù):780
(1)內(nèi)應(yīng)力控制
晶體制備過程中會(huì)產(chǎn)生晶體內(nèi)部10037912-104LF的晶格應(yīng)變，與之相對(duì)應(yīng)的應(yīng)力稱為內(nèi)應(yīng)力。內(nèi)應(yīng)力可以誘生缺陷或使缺陷滑移和聚集�？刂凭w的生長(zhǎng)速度、在晶體承受高溫處理后采取適當(dāng)?shù)慕禍厮俾�、在晶體經(jīng)機(jī)械加工時(shí)減小機(jī)械應(yīng)力等都可以有效地控制晶體的內(nèi)應(yīng)力。通常用X光衍射法測(cè)量晶體常數(shù)的奇變來(lái)檢測(cè)單晶的內(nèi)應(yīng)力。
(2)晶體缺陷控制
單晶體中原子沒右按固有周期排列的局部稱晶體缺陷。缺陷的增長(zhǎng)，滑移和聚集會(huì)產(chǎn)生晶體的裂痕。缺陷會(huì)使晶體的力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)劣化，從而導(dǎo)致聲表面波器件的失效，還會(huì)引起聲表面波器件的性能退化失效或致命的燒毀失效等失效模式，除了控制單晶的完美性、晶體生長(zhǎng)速度、晶體降溫速率、極化定向精度，減少機(jī)械加工應(yīng)力之外，適當(dāng)條件的退火，或采用缺陷吸除技術(shù)也可以有效地控制晶體缺陷。
(3)平整度與翹曲率控制
晶片的厚度均勻性用平整度表征，晶片偏離同一水平面的程度用翹曲率來(lái)表征。平整度和翹曲率差的晶片會(huì)使聲表面波器件的結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變，使聲表面波器件的結(jié)構(gòu)達(dá)不到設(shè)計(jì)要求，從而產(chǎn)生超容差現(xiàn)象，影響可靠性。當(dāng)這種晶片需要與封裝外殼黏接時(shí)常常發(fā)生接觸不良或產(chǎn)生應(yīng)力造成失效隱患。
平整度通常用光干涉法測(cè)量，翹曲率用電容敏感式翹曲率測(cè)量?jī)x測(cè)量。平整度和翹曲率是在晶片的切割、磨平和拋光過程中進(jìn)行控制的。晶片在高溫工藝中，在覆蓋各種膜的過程中會(huì)使其翹曲率劣化，通常用低溫工藝和用不同厚度比的復(fù)合膜來(lái)控制工藝過程中的翹曲率劣化。
晶體制備過程中會(huì)產(chǎn)生晶體內(nèi)部10037912-104LF的晶格應(yīng)變，與之相對(duì)應(yīng)的應(yīng)力稱為內(nèi)應(yīng)力。內(nèi)應(yīng)力可以誘生缺陷或使缺陷滑移和聚集�？刂凭w的生長(zhǎng)速度、在晶體承受高溫處理后采取適當(dāng)?shù)慕禍厮俾�、在晶體經(jīng)機(jī)械加工時(shí)減小機(jī)械應(yīng)力等都可以有效地控制晶體的內(nèi)應(yīng)力。通常用X光衍射法測(cè)量晶體常數(shù)的奇變來(lái)檢測(cè)單晶的內(nèi)應(yīng)力。
(2)晶體缺陷控制
單晶體中原子沒右按固有周期排列的局部稱晶體缺陷。缺陷的增長(zhǎng)，滑移和聚集會(huì)產(chǎn)生晶體的裂痕。缺陷會(huì)使晶體的力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)劣化，從而導(dǎo)致聲表面波器件的失效，還會(huì)引起聲表面波器件的性能退化失效或致命的燒毀失效等失效模式，除了控制單晶的完美性、晶體生長(zhǎng)速度、晶體降溫速率、極化定向精度，減少機(jī)械加工應(yīng)力之外，適當(dāng)條件的退火，或采用缺陷吸除技術(shù)也可以有效地控制晶體缺陷。
(3)平整度與翹曲率控制
晶片的厚度均勻性用平整度表征，晶片偏離同一水平面的程度用翹曲率來(lái)表征。平整度和翹曲率差的晶片會(huì)使聲表面波器件的結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變，使聲表面波器件的結(jié)構(gòu)達(dá)不到設(shè)計(jì)要求，從而產(chǎn)生超容差現(xiàn)象，影響可靠性。當(dāng)這種晶片需要與封裝外殼黏接時(shí)常常發(fā)生接觸不良或產(chǎn)生應(yīng)力造成失效隱患。
平整度通常用光干涉法測(cè)量，翹曲率用電容敏感式翹曲率測(cè)量?jī)x測(cè)量。平整度和翹曲率是在晶片的切割、磨平和拋光過程中進(jìn)行控制的。晶片在高溫工藝中，在覆蓋各種膜的過程中會(huì)使其翹曲率劣化，通常用低溫工藝和用不同厚度比的復(fù)合膜來(lái)控制工藝過程中的翹曲率劣化。
(1)內(nèi)應(yīng)力控制
晶體制備過程中會(huì)產(chǎn)生晶體內(nèi)部10037912-104LF的晶格應(yīng)變，與之相對(duì)應(yīng)的應(yīng)力稱為內(nèi)應(yīng)力。內(nèi)應(yīng)力可以誘生缺陷或使缺陷滑移和聚集�？刂凭w的生長(zhǎng)速度、在晶體承受高溫處理后采取適當(dāng)?shù)慕禍厮俾�、在晶體經(jīng)機(jī)械加工時(shí)減小機(jī)械應(yīng)力等都可以有效地控制晶體的內(nèi)應(yīng)力。通常用X光衍射法測(cè)量晶體常數(shù)的奇變來(lái)檢測(cè)單晶的內(nèi)應(yīng)力。
(2)晶體缺陷控制
單晶體中原子沒右按固有周期排列的局部稱晶體缺陷。缺陷的增長(zhǎng)，滑移和聚集會(huì)產(chǎn)生晶體的裂痕。缺陷會(huì)使晶體的力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)劣化，從而導(dǎo)致聲表面波器件的失效，還會(huì)引起聲表面波器件的性能退化失效或致命的燒毀失效等失效模式，除了控制單晶的完美性、晶體生長(zhǎng)速度、晶體降溫速率、極化定向精度，減少機(jī)械加工應(yīng)力之外，適當(dāng)條件的退火，或采用缺陷吸除技術(shù)也可以有效地控制晶體缺陷。
(3)平整度與翹曲率控制
晶片的厚度均勻性用平整度表征，晶片偏離同一水平面的程度用翹曲率來(lái)表征。平整度和翹曲率差的晶片會(huì)使聲表面波器件的結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變，使聲表面波器件的結(jié)構(gòu)達(dá)不到設(shè)計(jì)要求，從而產(chǎn)生超容差現(xiàn)象，影響可靠性。當(dāng)這種晶片需要與封裝外殼黏接時(shí)常常發(fā)生接觸不良或產(chǎn)生應(yīng)力造成失效隱患。
平整度通常用光干涉法測(cè)量，翹曲率用電容敏感式翹曲率測(cè)量?jī)x測(cè)量。平整度和翹曲率是在晶片的切割、磨平和拋光過程中進(jìn)行控制的。晶片在高溫工藝中，在覆蓋各種膜的過程中會(huì)使其翹曲率劣化，通常用低溫工藝和用不同厚度比的復(fù)合膜來(lái)控制工藝過程中的翹曲率劣化。
晶體制備過程中會(huì)產(chǎn)生晶體內(nèi)部10037912-104LF的晶格應(yīng)變，與之相對(duì)應(yīng)的應(yīng)力稱為內(nèi)應(yīng)力。內(nèi)應(yīng)力可以誘生缺陷或使缺陷滑移和聚集�？刂凭w的生長(zhǎng)速度、在晶體承受高溫處理后采取適當(dāng)?shù)慕禍厮俾�、在晶體經(jīng)機(jī)械加工時(shí)減小機(jī)械應(yīng)力等都可以有效地控制晶體的內(nèi)應(yīng)力。通常用X光衍射法測(cè)量晶體常數(shù)的奇變來(lái)檢測(cè)單晶的內(nèi)應(yīng)力。
(2)晶體缺陷控制
單晶體中原子沒右按固有周期排列的局部稱晶體缺陷。缺陷的增長(zhǎng)，滑移和聚集會(huì)產(chǎn)生晶體的裂痕。缺陷會(huì)使晶體的力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)劣化，從而導(dǎo)致聲表面波器件的失效，還會(huì)引起聲表面波器件的性能退化失效或致命的燒毀失效等失效模式，除了控制單晶的完美性、晶體生長(zhǎng)速度、晶體降溫速率、極化定向精度，減少機(jī)械加工應(yīng)力之外，適當(dāng)條件的退火，或采用缺陷吸除技術(shù)也可以有效地控制晶體缺陷。
(3)平整度與翹曲率控制
晶片的厚度均勻性用平整度表征，晶片偏離同一水平面的程度用翹曲率來(lái)表征。平整度和翹曲率差的晶片會(huì)使聲表面波器件的結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變，使聲表面波器件的結(jié)構(gòu)達(dá)不到設(shè)計(jì)要求，從而產(chǎn)生超容差現(xiàn)象，影響可靠性。當(dāng)這種晶片需要與封裝外殼黏接時(shí)常常發(fā)生接觸不良或產(chǎn)生應(yīng)力造成失效隱患。
平整度通常用光干涉法測(cè)量，翹曲率用電容敏感式翹曲率測(cè)量?jī)x測(cè)量。平整度和翹曲率是在晶片的切割、磨平和拋光過程中進(jìn)行控制的。晶片在高溫工藝中，在覆蓋各種膜的過程中會(huì)使其翹曲率劣化，通常用低溫工藝和用不同厚度比的復(fù)合膜來(lái)控制工藝過程中的翹曲率劣化。
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