如式(2.9)所示，電路的放大倍OPA2244UA數(shù)是由R。與RE之比來決定的，所以令A(yù)-5，取Rc:RE=5：1。
    為了吸收基極一發(fā)射極間電壓V BE隨溫度的變化，而使工作點(diǎn)（集電極電流）穩(wěn)
定，RE的直流壓降必須在1V以上。這是因?yàn)閂BE約為0.6V，然而它具有-2.5mV／℃的溫度特性，這是由于VBE的變動(dòng)，發(fā)射極電位也變動(dòng)，集電極電流也發(fā)生變化的緣故。
    在這里，取RE的壓降為2V，因此Ic =lmA（設(shè)lC一IE），則由式(2.3)可得：

               
    
    晶體管的集電極一發(fā)射極間電壓VCE為集電極電位Vc減去發(fā)射極電位VE，所以由式(2.4)得出VCE為：
                     
    晶體管的集電極損耗P。（在集電極一發(fā)射極間發(fā)生的功率損耗，它變成熱量）為：
    PC =VCE．IC
    =3V×ImA=3 mW   
    可知PC在表2.1規(guī)定的最大額定值以下。
    還有，Rc的值太大，則在Rc本身的壓降變大，集電極電位下降，在輸出振幅大時(shí)，集電極電位靠近發(fā)射極電位，削去輸出波形的下側(cè)。
    相反，Rc的值過小時(shí)，則集電極電位靠近電源電位，削去輸出波形的上側(cè)（參見照片2.5，在該照片中，輸出稍增大，就削去輸出波形的下側(cè)）。
    因此，在最大輸出振幅時(shí)，如果電位關(guān)系成為削去渡形的關(guān)系，則有必要調(diào)整VE或者Ic的設(shè)定來重新求出Rc與RE。
    最好的辦法是將集電極電位Vc設(shè)定在VCc與VE的中點(diǎn)，但是像本設(shè)計(jì)那樣，只要滿足最大輸出振幅的規(guī)格，也沒有必要特地去將集電極電位Vc設(shè)定在中點(diǎn)。