如該電路所示，在使用帶有發(fā)射極負(fù)載電阻RE的射極跟TPS62112RSAT隨器的情況下，無(wú)信號(hào)時(shí)的發(fā)射極電流IE（空載電流）有必要比最大輸出電流大一些（理由在后面文中敘述）。
    由設(shè)計(jì)規(guī)格可知，最大輸出電流是±2.5mA，然而，在這里取為IE =lOmA。
    另一方面，在集電極一基板間與集電極一發(fā)射極間有可能加上最大15V電源電壓。這是在輸入大振幅的信號(hào)時(shí)，使得發(fā)射極電位訓(xùn)下降到GND電位的情況。
    因此，選擇該電路使用的晶體管各項(xiàng)指標(biāo)如下：Ie=lOmA以上，集電極一基極間電壓VCBO與集電極一發(fā)射極間電壓VCEO最大額定值為15V以上。
    在這里，選擇NPN型通用小信號(hào)晶體管2SC2458（東芝）。這與第2章使用過(guò)的晶體管相同。電特性也曾表示在表2.1中。
    順便提一下，用PNP型晶體管的電路表示在圖3.3中。與共發(fā)射極放大電路一樣，它是將圖3.1電路中的電源與GND進(jìn)行交換之后的電路。