FET是通過柵極上所加的電TLP521GB/GR壓控制漏極一源極間電流的電壓控制器件。
    描述FET性質(zhì)最常用的方法是叫做傳輸特性的曲線，它表示漏極電流ID與柵極一源極間電壓V GS的關(guān)系。
    圖2.10是JFET的傳輸特性。

    當(dāng)柵極一源極間電壓VGS為OV時(shí)JFET的漏極電流ID最大。這時(shí)的漏極電流叫做漏極飽和電流IDSS。
    JFET的IDSS是漏極一源極間所能夠流過的最大電流。除非FET損壞，否則不會(huì)有超過IDSS的漏極電流。所以，JFET具有限制電流的作用。
    一般的FET中，IDSS為ImA至數(shù)十mA(實(shí)際上可以流過比IDSS稍大一些的電流)。
    我們分析圖2. lO(a)所示的N溝JFET的曲線。VGS從OV向負(fù)方向增大時(shí)ID減小，最終變?yōu)榱�，這時(shí)的V GS叫做夾斷電壓Vp。當(dāng)VGS在負(fù)方向比Vp更太時(shí)，N溝JFET處于截止?fàn)顟B(tài)。
    把VGS在負(fù)電壓范圍時(shí)工D的流動(dòng)稱為耗盡特性。
    P溝JFET的ID、VGS、IDSS、VP的極性與N溝情況相反。