圖3.21是FET的內(nèi)部電容。在FET內(nèi)MSP430F2132IPWR部各極間的極間電容有CGD、CGS和CDS。
    圖3.22(a)是考慮到這些電容時(shí)的源極接地放大電路。這里的主要問(wèn)題是柵極一漏極間電容CGD。
    設(shè)柵極的交流輸入電壓為VI由于漏極的輸出電壓為-vi .AV（負(fù)號(hào)表示相位相反），所以CGD兩端的電壓為vi(l+AV)（- vi．AV）。因此，流過(guò)CGD的電流是只加可，時(shí)的1+AV倍（因?yàn)镃GD兩端加電壓為vi(l+A，))。

                
    因此，如果從柵極端看CGD，看到的是具有1+AV倍電容量的電容（因?yàn)榧酉嗤碾妷篤i時(shí)CGD流量級(jí)的小電容）
    過(guò)vi(l+A，)倍的電流）。這就是所謂的米勒(Mill-er)效應(yīng)所產(chǎn)生的現(xiàn)象。
    由于這種米勒效應(yīng)，源極接地放大電路的輸入電容Ci變?yōu)?+A，倍的CGD與CGS之和。這樣，Ci寫信號(hào)源的輸出阻抗Rge。就構(gòu)成了低通濾波器。所以，在高頻范圍電路的放大倍數(shù)降低了。
    在FET的數(shù)據(jù)表中，將CGD叫做反饋電容Crss，將CGS叫做輸入電容Ciss。