負(fù)載電流（發(fā)射極電流）的指標(biāo)是5mA，所以晶ADE-25MH體管的集電極電流（一發(fā)射極電流）的最大額定值必須大于5mA。因?yàn)楸仨氂?000B系列CMOS IC提供基極電流，所以為了將基極電流抑制在O.lmA（一般不怎么能夠從4000B系列CMOSIC中取出電流），而負(fù)載電流是5mA，所以hFE必須在50(一5mAlO. ImA)以上。
    另外，晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)電源電壓(在這里是+5V)是加在集電極一發(fā)射極間和集電極一基極間，所以所選擇晶體管的集電極一發(fā)射極間和集電極一基極間的最大額定值VCEO、CBO必須大于電源電壓。
    按照Ic>5mA，hFE>50．VCEO>5V，VCBO>5V的條件，與發(fā)射極接地時(shí)情況相同選擇2SC2458（東芝）。當(dāng)然使用PNP晶體管也無妨，不過這時(shí)的電路變成圖8.20所示的那樣。
    開路發(fā)射極的設(shè)計(jì)也完全相同，由加在外部負(fù)載上的電壓以及從輸出端（發(fā)射極）流出或者吸入的最大負(fù)載電流為根據(jù)選擇晶體管。
    射極跟隨器型開關(guān)電路的負(fù)載電流原封不動(dòng)地就是發(fā)射極電流，所以必須給輸入端提供它的l/hFE的基極電流。但是當(dāng)負(fù)載電流大時(shí)，有可能無法提供驅(qū)動(dòng)輸入端電路所必要的基極電流。
    在這種情況下，仍然和發(fā)射極接地時(shí)的辦法一樣，或者采用超p晶體管，或者如圖8.21所示將晶體管達(dá)林頓連接使用。但是，達(dá)林頓連接時(shí)需要注意發(fā)射極電位要比基極電位低1.2～1.4V(兩個(gè)VBE)。
    射極跟隨器型開關(guān)電路中當(dāng)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，發(fā)射極電位比基極電位低0.6～0.7V。因此，即使基極電位與集電極電位（即電源電壓）相等，晶體管的集電極一發(fā)射極間電壓還是0.6～0.7V(達(dá)林頓連接時(shí)是1.2～1.4V)。這個(gè)VCE與集電極電流（一發(fā)射極電流）之積就是晶體管的熱損耗，所以當(dāng)負(fù)載電流大時(shí)應(yīng)該注意晶體管的發(fā)熱問題。