鈍化層質(zhì)量對器件可靠性的影響
發(fā)布時間:2012/4/27 19:51:01 訪問次數(shù):2166
半導體分立器件的表面鈍化MJE15035G層主要有Si0：、PSG、Si。N。、聚酰亞胺等，其作用主要是防止管殼中的濕氣對器件特性的影響，防止操作過程中表面擦傷及管殼空腔的微粒影響。S13 N4鈍化的器件可防止堿離子穿入下面的Si0：層，提高器件穩(wěn)定性；Alz 03可有效阻擋堿離子進入下層Si0。，硅酮塑料具有比環(huán)氧樹脂或石炭酸基封裝化合更高的儲存溫度，主要用于功率器件的封裝和梁式引線器件。在鈍化層中存在裂縫時，經(jīng)常在沿著外形的階梯處或沿著定輪廓金屬體的邊緣產(chǎn)生針孔。合金金屬上介質(zhì)層的針孔有兩種，即在Al線中心區(qū)域的針孑L和沿著定輪廓金屬線邊緣的針孔。邊緣的針孔歸因于金屬邊緣靠近光刻抗蝕劑的距離不適當，可通過采用較厚的光刻抗蝕劑層或改進光刻抗蝕劑的涂敷技術(shù)來消除。Al線中心區(qū)的針孑L歸因于Al接觸合金工序中Al再結(jié)晶形成的小丘，在隨后的淀積鈍化層工序中，小丘完全被介質(zhì)層覆蓋，但不能被光刻抗蝕劑完全覆蓋，使小丘突出在膠膜之上，形成針孔。鈍化層質(zhì)量對器件可靠性的影響如下：
①在器件加電工作過程中，鈍化層的裂縫或針孑L會導致Al條被濕氣腐蝕，直至開路失效，也會導致芯片受離子沾污。
②含磷濃度過高的PSG層具有吸水性，會引起Al條的腐蝕；含磷濃度過低的玻璃層會沿著Al線的邊緣處形成裂縫，導致局部金屬腐蝕。采用Ti-Pt-Au代替AI金屬化，并用Au絲代Al絲鍵合，在抗電化學腐蝕方面具有明顯優(yōu)勢。
③在塑料封裝工藝中，塑料是離予或雜質(zhì)的來源之一，對可靠性有害，特別在潮濕環(huán)境下，可加速離子的遷移效應(yīng)，導致金屬化產(chǎn)生電化學腐蝕。
①在器件加電工作過程中，鈍化層的裂縫或針孑L會導致Al條被濕氣腐蝕，直至開路失效，也會導致芯片受離子沾污。
②含磷濃度過高的PSG層具有吸水性，會引起Al條的腐蝕；含磷濃度過低的玻璃層會沿著Al線的邊緣處形成裂縫，導致局部金屬腐蝕。采用Ti-Pt-Au代替AI金屬化，并用Au絲代Al絲鍵合，在抗電化學腐蝕方面具有明顯優(yōu)勢。
③在塑料封裝工藝中，塑料是離予或雜質(zhì)的來源之一，對可靠性有害，特別在潮濕環(huán)境下，可加速離子的遷移效應(yīng)，導致金屬化產(chǎn)生電化學腐蝕。
半導體分立器件的表面鈍化MJE15035G層主要有Si0：、PSG、Si。N。、聚酰亞胺等，其作用主要是防止管殼中的濕氣對器件特性的影響，防止操作過程中表面擦傷及管殼空腔的微粒影響。S13 N4鈍化的器件可防止堿離子穿入下面的Si0：層，提高器件穩(wěn)定性；Alz 03可有效阻擋堿離子進入下層Si0。，硅酮塑料具有比環(huán)氧樹脂或石炭酸基封裝化合更高的儲存溫度，主要用于功率器件的封裝和梁式引線器件。在鈍化層中存在裂縫時，經(jīng)常在沿著外形的階梯處或沿著定輪廓金屬體的邊緣產(chǎn)生針孔。合金金屬上介質(zhì)層的針孔有兩種，即在Al線中心區(qū)域的針孑L和沿著定輪廓金屬線邊緣的針孔。邊緣的針孔歸因于金屬邊緣靠近光刻抗蝕劑的距離不適當，可通過采用較厚的光刻抗蝕劑層或改進光刻抗蝕劑的涂敷技術(shù)來消除。Al線中心區(qū)的針孑L歸因于Al接觸合金工序中Al再結(jié)晶形成的小丘，在隨后的淀積鈍化層工序中，小丘完全被介質(zhì)層覆蓋，但不能被光刻抗蝕劑完全覆蓋，使小丘突出在膠膜之上，形成針孔。鈍化層質(zhì)量對器件可靠性的影響如下：
①在器件加電工作過程中，鈍化層的裂縫或針孑L會導致Al條被濕氣腐蝕，直至開路失效，也會導致芯片受離子沾污。
②含磷濃度過高的PSG層具有吸水性，會引起Al條的腐蝕；含磷濃度過低的玻璃層會沿著Al線的邊緣處形成裂縫，導致局部金屬腐蝕。采用Ti-Pt-Au代替AI金屬化，并用Au絲代Al絲鍵合，在抗電化學腐蝕方面具有明顯優(yōu)勢。
③在塑料封裝工藝中，塑料是離予或雜質(zhì)的來源之一，對可靠性有害，特別在潮濕環(huán)境下，可加速離子的遷移效應(yīng)，導致金屬化產(chǎn)生電化學腐蝕。
①在器件加電工作過程中，鈍化層的裂縫或針孑L會導致Al條被濕氣腐蝕，直至開路失效，也會導致芯片受離子沾污。
②含磷濃度過高的PSG層具有吸水性，會引起Al條的腐蝕；含磷濃度過低的玻璃層會沿著Al線的邊緣處形成裂縫，導致局部金屬腐蝕。采用Ti-Pt-Au代替AI金屬化，并用Au絲代Al絲鍵合，在抗電化學腐蝕方面具有明顯優(yōu)勢。
③在塑料封裝工藝中，塑料是離予或雜質(zhì)的來源之一，對可靠性有害，特別在潮濕環(huán)境下，可加速離子的遷移效應(yīng)，導致金屬化產(chǎn)生電化學腐蝕。
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