圖9.3(a)是2SK330的傳輸特性。從這個HCT245曲線可以看出，由于N溝JFET所具有的耗盡特性，當柵極對源極的電位為ov時漏極電流能夠達到最大值（一IDSS：漏極飽和電流）。這時器件處于完全導通狀態(tài)。但是當柵極上所加負電壓超過夾斷電壓VP時，由于漏極電流變?yōu)榱�，這時的器件處于截止狀態(tài)。對圖9.3(a)的2SK330來說，當為-2.7V時器件處于截止狀態(tài)。不過考慮到IDSS的分散性，通常要使N溝JFET處于完全截止狀態(tài)，需要-5V以上。這就是說，如果N溝JFET柵極電壓是OV則導通，如果是負幾伏（比夾斷電壓VP更負的電壓）則處于截止狀態(tài)。所以如照片9.1所示，對于N溝JFET的2SK330來說vi在-2～OV之間處于導通狀態(tài)，在-2V以下時截止。
    圖9.3(b)是2 SJ105的傳輸特性。P溝JFET與N溝的電壓極性相反，柵極電壓為OV時處于導通狀態(tài)，在正幾伏以上(VP以上)時處于截止狀態(tài)。圖9.3(b)中的V一+2.4V�？紤]到IDSS的分散性．仍然可以認為在正幾伏以上時處于截止狀態(tài)。所以如照片9.2所示，對于P溝JFET器件2SJ105來說，當Vi在OV到+2V之間處于導通狀態(tài)，大于+2V之時則處于截止狀態(tài)。