圖9.3(a)是2SK330的傳輸特性。從這個(gè)HCT245曲線可以看出，由于N溝JFET所具有的耗盡特性，當(dāng)柵極對源極的電位為ov時(shí)漏極電流能夠達(dá)到最大值（一IDSS：漏極飽和電流）。這時(shí)器件處于完全導(dǎo)通狀態(tài)。但是當(dāng)柵極上所加負(fù)電壓超過夾斷電壓VP時(shí)，由于漏極電流變?yōu)榱�，這時(shí)的器件處于截止?fàn)顟B(tài)。對圖9.3(a)的2SK330來說，當(dāng)為-2.7V時(shí)器件處于截止?fàn)顟B(tài)。不過考慮到IDSS的分散性，通常要使N溝JFET處于完全截止?fàn)顟B(tài)，需要-5V以上。這就是說，如果N溝JFET柵極電壓是OV則導(dǎo)通，如果是負(fù)幾伏（比夾斷電壓VP更負(fù)的電壓）則處于截止?fàn)顟B(tài)。所以如照片9.1所示，對于N溝JFET的2SK330來說vi在-2～OV之間處于導(dǎo)通狀態(tài)，在-2V以下時(shí)截止。
    圖9.3(b)是2 SJ105的傳輸特性。P溝JFET與N溝的電壓極性相反，柵極電壓為OV時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，在正幾伏以上(VP以上)時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)。圖9.3(b)中的V一+2.4V�？紤]到IDSS的分散性．仍然可以認(rèn)為在正幾伏以上時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)。所以如照片9.2所示，對于P溝JFET器件2SJ105來說，當(dāng)Vi在OV到+2V之間處于導(dǎo)通狀態(tài)，大于+2V之時(shí)則處于截止?fàn)顟B(tài)。