圖10.12中，由于MOSFET幾乎沒(méi)有STC89C52RC-40I-PDIP柵極電流流過(guò)，所以發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)電路輸出端負(fù)載電阻R1～R4的值即使很大(例如10MQ)對(duì)于直流關(guān)系也沒(méi)有影響（電阻值大可以減小電路的功耗）。但是，如果過(guò)于大，那么MOSFET的輸入電容與負(fù)載電阻將形成截止頻率很低的低通濾波器(開(kāi)關(guān)MOSFET的輸入電容Ciss非常大，例如2SK612達(dá)到500pF)。這樣一來(lái)，在用脈沖寬度對(duì)電動(dòng)機(jī)速度進(jìn)行控制的PWM(Pulse Width Modulation)控制中，就難以提高它的開(kāi)關(guān)頻率。所以在這里取Ri =Rz =R3 =R4 =330kCl,。
    發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)Tr5～Tr10可以由NPN晶體管與電阻組合構(gòu)成，但是這樣會(huì)增加元件數(shù)目，所以采用內(nèi)藏電阻的晶體管。內(nèi)藏電阻晶體管是在基區(qū)部分內(nèi)藏電阻，以單體作為發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)工作的晶體管。
    表10.2足內(nèi)藏電阻晶體管DT系列一覽表。最近，這種內(nèi)藏各種阻值電阻的晶體管已經(jīng)商品化。這里使用基極限流電阻是47ktQ,的NPN晶體管DTC144EF。這種晶體管當(dāng)加5V的輸入電壓時(shí)的基極電流為O.lmA(≈(5V-O.6V)/47kfl)，F(xiàn)E≥68，所以能夠開(kāi)關(guān)6.8mA(一0.ImA×68)的集電極電流。另一方面，如果VD=18.8V(關(guān)于VD的值將在后面說(shuō)明)，由R1=R2=R3=R4=330kQ，所以集電極電流為57UA(≈18. 8V/330k0)，所以使用DTC144EF時(shí)可以充分驅(qū)動(dòng)。