下面計算FET中產(chǎn)生的TMS320VC5410APGE16功率損耗（這項損耗變?yōu)闊崃�，使FET發(fā)熱）。
    FET漏極一源極間電壓vDS是漏極電位VD與源極電位Vs之差，由式(3.5)得到

          
    
    FET中產(chǎn)生的功耗PD等于加在FET上的電壓VDS與流過的電流ID之積，即
    PD =VDS．ID一6.8V×ImA一6.8mW    (3.16)
    可以看出，計算得到的值大大低于表1所列的容許損耗的最大額定值200mW。
    加果RD值比較大，那么RD本身的電壓降變大，漏極電位將下降，當(dāng)輸出振幅大時，致使源極電位受到牽連(漏極一源極間電壓變?yōu)镺V)，輸出波形的下半周被限幅。
    相反，如果RD小，影響到電源電壓，將限制輸出波形的上半周。因此，當(dāng)輸出最大振幅（本電路中為3V。一。）時，如果由于這種電壓關(guān)系導(dǎo)致波形被限制時，就必須改變V。或者ID的設(shè)定值，重新計算RD和Rs的值。
    最好將漏極電位VD設(shè)定在VDD與V。的中點（在這個電路中得到最大的輸出振幅）。當(dāng)然如果能夠滿足最大輸出振幅的指標(biāo)要求，也就沒有必要拘泥于這點。