圖13.14是開(kāi)關(guān)器件SP3494CN-L采用P溝JFET的模擬開(kāi)關(guān)電路。P溝JFET的VGS為某一正電壓時(shí)器件截止，圖13.14的電平變換電路就變成PNP晶體管發(fā)射極接地開(kāi)關(guān)電路，所以電路的結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單。電路的動(dòng)作過(guò)程是當(dāng)副。-OV時(shí)Tr2導(dǎo)通，Tri的柵極電位固定在+5V，則Tri截止（開(kāi)關(guān)斷開(kāi)）。
    JFET的選擇方法與圖13.6昀電路相同，只是把N溝器件換為P溝器件。但是P溝JFET的缺點(diǎn)是品種比N溝器件少（價(jià)格也高），而且gm也小。圖13.14的電路中使用的是柵極一漏極間電壓最大額定值VCDS=50V，IDSS=-1.2～4mA,-1.2～-3OmA，GR檔-2.6～-6.5mA）的通用JFET2SJ105-Y,GR。
    如果圖13.14的電路像圖13.15那樣把電平變換電路用電阻內(nèi)藏晶體管置換，就會(huì)減少電路中的元件數(shù)目，使電路變得簡(jiǎn)單（當(dāng)然圖13.6的電路如果采用電阻內(nèi)藏晶體管，也會(huì)變得更簡(jiǎn)單）。