三極管的主要參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2012/7/7 10:06:55 訪問次數(shù):1282
（一）電流放大系數(shù)
電流放大系數(shù)是表征三極管AA10B-012L-050S放大能力的參數(shù)。如前所述，三極管的共射極直流電流放大系數(shù)與交流電流放大系數(shù)兩者數(shù)值相近，即艫印。
由于制造工藝的分散性，即使是同一型號(hào)的三極管，p值也有很大的差別，常用的小功率三極管，p值一般在20～100之間。在選擇三極管時(shí)，如果口值太小，電流放大能力差；口值太大，對(duì)溫度的穩(wěn)定性又太差。
（二）極間反向電流
(1)集一基極反向飽和電流ICBO，向電流。
(2)集一射極反向飽和電流ICEO，向電流，也稱為穿透電流。
ICB()與ICEO間的關(guān)系為是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極間的反是指基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的反
反向電流受溫度的影響大，對(duì)三極管的工作影響很大，要求反向電流越小越好。常溫時(shí)，小功率鍺管ICB(，約為幾微安，小功率硅管在1)uA以下，所以常選用硅管。
（三）集電極最大允許電沆
集電極電流超過一定值時(shí)，三極管的I8值會(huì)下降。p值下降到正常值的2/3時(shí)的集電極電流，稱為集電極最大允許電流ICM。
（四）集電極反向擊穿電壓
基極開路時(shí)，加在集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓，稱為集電極反向擊穿電壓UcBR，CEO。當(dāng)三極管的集射極電壓UCE大于該值時(shí)，ic會(huì)突然大幅上升，說明三極管已被擊穿。
（五）集電極最大允許耗散功率
當(dāng)集電極電流流過集電結(jié)時(shí)要消耗功率而使集電結(jié)溫度升高，從而會(huì)引起三極管參數(shù)變化。PCM是指三極管正常工作時(shí)最大允許消耗的功率。Pavl值與環(huán)境溫度和管子的散熱條件有關(guān)，因此為了提高PCM值，常采用散熱裝置。
電流放大系數(shù)是表征三極管AA10B-012L-050S放大能力的參數(shù)。如前所述，三極管的共射極直流電流放大系數(shù)與交流電流放大系數(shù)兩者數(shù)值相近，即艫印。
由于制造工藝的分散性，即使是同一型號(hào)的三極管，p值也有很大的差別，常用的小功率三極管，p值一般在20～100之間。在選擇三極管時(shí)，如果口值太小，電流放大能力差；口值太大，對(duì)溫度的穩(wěn)定性又太差。
（二）極間反向電流
(1)集一基極反向飽和電流ICBO，向電流。
(2)集一射極反向飽和電流ICEO，向電流，也稱為穿透電流。
ICB()與ICEO間的關(guān)系為是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極間的反是指基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的反
反向電流受溫度的影響大，對(duì)三極管的工作影響很大，要求反向電流越小越好。常溫時(shí)，小功率鍺管ICB(，約為幾微安，小功率硅管在1)uA以下，所以常選用硅管。
（三）集電極最大允許電沆
集電極電流超過一定值時(shí)，三極管的I8值會(huì)下降。p值下降到正常值的2/3時(shí)的集電極電流，稱為集電極最大允許電流ICM。
（四）集電極反向擊穿電壓
基極開路時(shí)，加在集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓，稱為集電極反向擊穿電壓UcBR，CEO。當(dāng)三極管的集射極電壓UCE大于該值時(shí)，ic會(huì)突然大幅上升，說明三極管已被擊穿。
（五）集電極最大允許耗散功率
當(dāng)集電極電流流過集電結(jié)時(shí)要消耗功率而使集電結(jié)溫度升高，從而會(huì)引起三極管參數(shù)變化。PCM是指三極管正常工作時(shí)最大允許消耗的功率。Pavl值與環(huán)境溫度和管子的散熱條件有關(guān)，因此為了提高PCM值，常采用散熱裝置。
（一）電流放大系數(shù)
電流放大系數(shù)是表征三極管AA10B-012L-050S放大能力的參數(shù)。如前所述，三極管的共射極直流電流放大系數(shù)與交流電流放大系數(shù)兩者數(shù)值相近，即艫印。
由于制造工藝的分散性，即使是同一型號(hào)的三極管，p值也有很大的差別，常用的小功率三極管，p值一般在20～100之間。在選擇三極管時(shí)，如果口值太小，電流放大能力差；口值太大，對(duì)溫度的穩(wěn)定性又太差。
（二）極間反向電流
(1)集一基極反向飽和電流ICBO，向電流。
(2)集一射極反向飽和電流ICEO，向電流，也稱為穿透電流。
ICB()與ICEO間的關(guān)系為是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極間的反是指基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的反
反向電流受溫度的影響大，對(duì)三極管的工作影響很大，要求反向電流越小越好。常溫時(shí)，小功率鍺管ICB(，約為幾微安，小功率硅管在1)uA以下，所以常選用硅管。
（三）集電極最大允許電沆
集電極電流超過一定值時(shí)，三極管的I8值會(huì)下降。p值下降到正常值的2/3時(shí)的集電極電流，稱為集電極最大允許電流ICM。
（四）集電極反向擊穿電壓
基極開路時(shí)，加在集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓，稱為集電極反向擊穿電壓UcBR，CEO。當(dāng)三極管的集射極電壓UCE大于該值時(shí)，ic會(huì)突然大幅上升，說明三極管已被擊穿。
（五）集電極最大允許耗散功率
當(dāng)集電極電流流過集電結(jié)時(shí)要消耗功率而使集電結(jié)溫度升高，從而會(huì)引起三極管參數(shù)變化。PCM是指三極管正常工作時(shí)最大允許消耗的功率。Pavl值與環(huán)境溫度和管子的散熱條件有關(guān)，因此為了提高PCM值，常采用散熱裝置。
電流放大系數(shù)是表征三極管AA10B-012L-050S放大能力的參數(shù)。如前所述，三極管的共射極直流電流放大系數(shù)與交流電流放大系數(shù)兩者數(shù)值相近，即艫印。
由于制造工藝的分散性，即使是同一型號(hào)的三極管，p值也有很大的差別，常用的小功率三極管，p值一般在20～100之間。在選擇三極管時(shí)，如果口值太小，電流放大能力差；口值太大，對(duì)溫度的穩(wěn)定性又太差。
（二）極間反向電流
(1)集一基極反向飽和電流ICBO，向電流。
(2)集一射極反向飽和電流ICEO，向電流，也稱為穿透電流。
ICB()與ICEO間的關(guān)系為是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極間的反是指基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的反
反向電流受溫度的影響大，對(duì)三極管的工作影響很大，要求反向電流越小越好。常溫時(shí)，小功率鍺管ICB(，約為幾微安，小功率硅管在1)uA以下，所以常選用硅管。
（三）集電極最大允許電沆
集電極電流超過一定值時(shí)，三極管的I8值會(huì)下降。p值下降到正常值的2/3時(shí)的集電極電流，稱為集電極最大允許電流ICM。
（四）集電極反向擊穿電壓
基極開路時(shí)，加在集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓，稱為集電極反向擊穿電壓UcBR，CEO。當(dāng)三極管的集射極電壓UCE大于該值時(shí)，ic會(huì)突然大幅上升，說明三極管已被擊穿。
（五）集電極最大允許耗散功率
當(dāng)集電極電流流過集電結(jié)時(shí)要消耗功率而使集電結(jié)溫度升高，從而會(huì)引起三極管參數(shù)變化。PCM是指三極管正常工作時(shí)最大允許消耗的功率。Pavl值與環(huán)境溫度和管子的散熱條件有關(guān)，因此為了提高PCM值，常采用散熱裝置。
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