集成運(yùn)算放大器的基本性能特點(diǎn)
發(fā)布時(shí)間:2012/7/10 19:56:45 訪問次數(shù):2385
集成電路有以下特點(diǎn)：
(1)集成電路中的所有元件GRM32NR71C335KC01L同處在一小塊硅片上，相互距離非常近，制作時(shí)工藝條件相同，因而同一片內(nèi)的元件參數(shù)值具有相同方向的偏差，溫度特性基本一致，容易制成兩個(gè)特性相同的管子或兩個(gè)阻值相等的電阻，故特別適宜制作差動(dòng)放大器。
(2)在集成電路中，電阻值一般在幾十歐至幾十千歐的范圍內(nèi)。大阻值電阻往往外接或用晶體管制成有源負(fù)載電阻代替。
(3)集成電路中的電容不能做得太大，大約幾十皮法，常用PN結(jié)電容構(gòu)成。這是因?yàn)橹圃煲粋�(gè)10 pF的電容所需的硅片面積，約等于10個(gè)晶體管所占的面積。所需的大電容，需采用外接方式。至于電感就更難制造。
(4)集成電路中的二極管一般都用三極管構(gòu)成，常用形式是將基極與集電極短路和射極構(gòu)成二極管。
綜上所述，由于集成電路制造工藝的限制，電容、電感及大電阻常采用外接方式，因此集成運(yùn)算放大器內(nèi)部各級之間都采用直接耦合的方式。
直接耦合放大電路具有良好的低頻頻率特性，可以放大緩慢變化的信號，甚至直流信號，但卻存在一個(gè)致命的問題，即當(dāng)溫度變化或電路參數(shù)等因素稍有變化時(shí)，電路的工作點(diǎn)將隨之變化，導(dǎo)致在放大囂輸入交流信號為零的情況下，輸出端電壓會(huì)偏離初始靜態(tài)值（相當(dāng)于交流信號零點(diǎn)），出現(xiàn)緩慢而不規(guī)則的漂移，這種現(xiàn)象稱為“零點(diǎn)漂移”(zero drift)。不難理解，在多級放大器中第一級放大器的零點(diǎn)漂移的影響最為嚴(yán)重，因?yàn)椴捎弥苯玉詈戏绞剑谝患壍钠票恢鸺壏糯�，以致影響整個(gè)放大電路的工作。因此，集成運(yùn)算放大器輸入級利用差分放大電路的良好對稱性，來抑制零點(diǎn)漂移。
(1)集成電路中的所有元件GRM32NR71C335KC01L同處在一小塊硅片上，相互距離非常近，制作時(shí)工藝條件相同，因而同一片內(nèi)的元件參數(shù)值具有相同方向的偏差，溫度特性基本一致，容易制成兩個(gè)特性相同的管子或兩個(gè)阻值相等的電阻，故特別適宜制作差動(dòng)放大器。
(2)在集成電路中，電阻值一般在幾十歐至幾十千歐的范圍內(nèi)。大阻值電阻往往外接或用晶體管制成有源負(fù)載電阻代替。
(3)集成電路中的電容不能做得太大，大約幾十皮法，常用PN結(jié)電容構(gòu)成。這是因?yàn)橹圃煲粋�(gè)10 pF的電容所需的硅片面積，約等于10個(gè)晶體管所占的面積。所需的大電容，需采用外接方式。至于電感就更難制造。
(4)集成電路中的二極管一般都用三極管構(gòu)成，常用形式是將基極與集電極短路和射極構(gòu)成二極管。
綜上所述，由于集成電路制造工藝的限制，電容、電感及大電阻常采用外接方式，因此集成運(yùn)算放大器內(nèi)部各級之間都采用直接耦合的方式。
直接耦合放大電路具有良好的低頻頻率特性，可以放大緩慢變化的信號，甚至直流信號，但卻存在一個(gè)致命的問題，即當(dāng)溫度變化或電路參數(shù)等因素稍有變化時(shí)，電路的工作點(diǎn)將隨之變化，導(dǎo)致在放大囂輸入交流信號為零的情況下，輸出端電壓會(huì)偏離初始靜態(tài)值（相當(dāng)于交流信號零點(diǎn)），出現(xiàn)緩慢而不規(guī)則的漂移，這種現(xiàn)象稱為“零點(diǎn)漂移”(zero drift)。不難理解，在多級放大器中第一級放大器的零點(diǎn)漂移的影響最為嚴(yán)重，因?yàn)椴捎弥苯玉詈戏绞剑谝患壍钠票恢鸺壏糯�，以致影響整個(gè)放大電路的工作。因此，集成運(yùn)算放大器輸入級利用差分放大電路的良好對稱性，來抑制零點(diǎn)漂移。
集成電路有以下特點(diǎn)：
(1)集成電路中的所有元件GRM32NR71C335KC01L同處在一小塊硅片上，相互距離非常近，制作時(shí)工藝條件相同，因而同一片內(nèi)的元件參數(shù)值具有相同方向的偏差，溫度特性基本一致，容易制成兩個(gè)特性相同的管子或兩個(gè)阻值相等的電阻，故特別適宜制作差動(dòng)放大器。
(2)在集成電路中，電阻值一般在幾十歐至幾十千歐的范圍內(nèi)。大阻值電阻往往外接或用晶體管制成有源負(fù)載電阻代替。
(3)集成電路中的電容不能做得太大，大約幾十皮法，常用PN結(jié)電容構(gòu)成。這是因?yàn)橹圃煲粋�(gè)10 pF的電容所需的硅片面積，約等于10個(gè)晶體管所占的面積。所需的大電容，需采用外接方式。至于電感就更難制造。
(4)集成電路中的二極管一般都用三極管構(gòu)成，常用形式是將基極與集電極短路和射極構(gòu)成二極管。
綜上所述，由于集成電路制造工藝的限制，電容、電感及大電阻常采用外接方式，因此集成運(yùn)算放大器內(nèi)部各級之間都采用直接耦合的方式。
直接耦合放大電路具有良好的低頻頻率特性，可以放大緩慢變化的信號，甚至直流信號，但卻存在一個(gè)致命的問題，即當(dāng)溫度變化或電路參數(shù)等因素稍有變化時(shí)，電路的工作點(diǎn)將隨之變化，導(dǎo)致在放大囂輸入交流信號為零的情況下，輸出端電壓會(huì)偏離初始靜態(tài)值（相當(dāng)于交流信號零點(diǎn)），出現(xiàn)緩慢而不規(guī)則的漂移，這種現(xiàn)象稱為“零點(diǎn)漂移”(zero drift)。不難理解，在多級放大器中第一級放大器的零點(diǎn)漂移的影響最為嚴(yán)重，因?yàn)椴捎弥苯玉詈戏绞�，第一級的漂移被逐級放大，以致影響整個(gè)放大電路的工作。因此，集成運(yùn)算放大器輸入級利用差分放大電路的良好對稱性，來抑制零點(diǎn)漂移。
(1)集成電路中的所有元件GRM32NR71C335KC01L同處在一小塊硅片上，相互距離非常近，制作時(shí)工藝條件相同，因而同一片內(nèi)的元件參數(shù)值具有相同方向的偏差，溫度特性基本一致，容易制成兩個(gè)特性相同的管子或兩個(gè)阻值相等的電阻，故特別適宜制作差動(dòng)放大器。
(2)在集成電路中，電阻值一般在幾十歐至幾十千歐的范圍內(nèi)。大阻值電阻往往外接或用晶體管制成有源負(fù)載電阻代替。
(3)集成電路中的電容不能做得太大，大約幾十皮法，常用PN結(jié)電容構(gòu)成。這是因?yàn)橹圃煲粋�(gè)10 pF的電容所需的硅片面積，約等于10個(gè)晶體管所占的面積。所需的大電容，需采用外接方式。至于電感就更難制造。
(4)集成電路中的二極管一般都用三極管構(gòu)成，常用形式是將基極與集電極短路和射極構(gòu)成二極管。
綜上所述，由于集成電路制造工藝的限制，電容、電感及大電阻常采用外接方式，因此集成運(yùn)算放大器內(nèi)部各級之間都采用直接耦合的方式。
直接耦合放大電路具有良好的低頻頻率特性，可以放大緩慢變化的信號，甚至直流信號，但卻存在一個(gè)致命的問題，即當(dāng)溫度變化或電路參數(shù)等因素稍有變化時(shí)，電路的工作點(diǎn)將隨之變化，導(dǎo)致在放大囂輸入交流信號為零的情況下，輸出端電壓會(huì)偏離初始靜態(tài)值（相當(dāng)于交流信號零點(diǎn)），出現(xiàn)緩慢而不規(guī)則的漂移，這種現(xiàn)象稱為“零點(diǎn)漂移”(zero drift)。不難理解，在多級放大器中第一級放大器的零點(diǎn)漂移的影響最為嚴(yán)重，因?yàn)椴捎弥苯玉詈戏绞�，第一級的漂移被逐級放大，以致影響整個(gè)放大電路的工作。因此，集成運(yùn)算放大器輸入級利用差分放大電路的良好對稱性，來抑制零點(diǎn)漂移。
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