通常，只要提起晶體管首先想到BZX55C68(1/2W-68V)的是它的放大作用，但是在脈沖電路中，可以讓晶體管發(fā)揮與開關(guān)一樣的開關(guān)作用。用于此種目的的晶體管稱作開關(guān)晶體管。也就是說，利用了晶體管在輸入信號(hào)的作用下，將發(fā)射極一集電極之間導(dǎo)通（開關(guān)ON）、關(guān)閉(開關(guān)OFF)的現(xiàn)象。
    圖4.174是用于測(cè)試晶體管2SC1815特性的電路，為發(fā)射極接地型。
    在此，成立IE—Jc+IB的關(guān)系。所以考慮開關(guān)作用時(shí)，可以認(rèn)為Ic≈IE。
    圖4.175是在集電極上加上負(fù)載電阻R- 2kfl時(shí)的輸出特性。圖中繪出了連接A與G的負(fù)載線(load line)。

    由特性曲線可知，與改變集電極電壓V CE相比，改變基極電流。可以使集電極電流I。發(fā)生更大的變化。一般地，在發(fā)射極接地方式下，用很小的基極電流能控制10～100倍左右的集電極電流。所以，我們就是利用這一性質(zhì)，來讓晶體管起開關(guān)作用的。圖4.176表示了這種情況，圖4.176(a)的晶體管相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)S。

    如圖4.176(a)所示，基極電流IB =0時(shí)，集電極電流Ic幾乎為O，所以如圖4.175所示緊靠橫軸。這就如同集電極與發(fā)射極之間存在著一個(gè)很大的電阻，相當(dāng)于圖4.176(a)的開關(guān)S被打開(OFF)的情況，工作點(diǎn)處于負(fù)載線的G點(diǎn)。
    相反，如圖4.176(b)所示，逐漸增大基極電流IB，工作點(diǎn)沿著負(fù)載線呈G點(diǎn)一A點(diǎn)的移動(dòng)。
    集電極電流Ic不會(huì)比A點(diǎn)的值更大。這是因?yàn)樵贏點(diǎn)，集電極與發(fā)射極之間是短路，V。/R =1012000—0.005A=5mA。因此，即使增大基極電流I。，當(dāng)集電極電流，。不再增加時(shí)，集電極與發(fā)射極也為等電位OV。換言之，即晶體管起了相當(dāng)于開關(guān)S閉合(ON)的作用。因此，在輸出端出現(xiàn)ON時(shí)為OV、OFF時(shí)為10V的電壓。