照片2.5是柵極電位vg與源LM124J極電位秒。的波形。%與鈔。都是交流振幅，相位完全相同。如照片2.4所示，vg和Vi的交流波形完全相同，所以源極電位口。與輸入信號銣，也具有完全相同的交流波形。
    可以看出FET的源極接地放大電路與雙極晶體管的發(fā)射極接地放大電路相同，從源極取出的信號完全沒有電壓放大作用（電壓增益為1）。
    但是當信號加到柵極，從源極取出信號時，卻有電流放大作用。這個電路與雙極晶體管的射極跟隨器相當，所以稱為源極跟隨器。

            
    關于源極跟隨器將在第4章詳細討論。
    照片2.5中示出了FET電路設計中的一個重要問題，就是柵極電位vg與源極電位vs間的電位差。
    如照片2.4所示，vg的直流電位是1.7V，口。的直流電位是2.1V，比‰高0.4V。就是說，在圖2.1的電路中，F(xiàn)ET柵極與源極之間的電壓VG。為0.4V。源極電位壓比柵極電位高(后面將要講到并不是所有的FET都是0.4V)。
    如圖2.4所示，雙極晶體管基極與發(fā)射極間相當于接人一個二極管，晶體管在放大工作時基極一發(fā)射極間電壓VBE為0.6～0. 7V。而且對于NPN晶體管來說，發(fā)射極電位比基極低。